[发明专利]一种高性能LED恒流驱动电路

说明书

技术领域：

本发明涉及电学领域，尤其涉及电子电路，特别是一种高性能LED恒流驱动电路。

背景技术：

现有技术中，LED恒流驱动电路中的驱动MOS管采用高压工艺时，需要利用可控硅或者高压MOS管做静电放电保护(ESD保护)。采用可控硅或者高压MOS管时，工艺均较复杂，也浪费芯片面积，且驱动MOS管长期工作的可靠性不理想。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种高性能LED恒流驱动电路，所述的这种高性能LED恒流驱动电路要解决现有技术中采用可控硅或者高压MOS管为LED恒流驱动电路中的驱动MOS管做静电放电保护方法中工艺复杂、浪费芯片面积、长期工作可靠性不理想的技术问题。

本发明的这种高性能LED恒流驱动电路由一个高压驱动MOS管、一个低压恒流MOS管和一个ESD保护电路构成，其中，所述的高压驱动MOS管的源端与所述的低压恒流MOS管的漏端连接，低压恒流MOS管的源端与地电位连接，所述的ESD保护电路由低压器件构成，所述的ESD保护电路的一端与高压驱动MOS管的漏端连接，ESD保护电路的另一端与地电位连接。

进一步的，所述的ESD保护电路由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压稳压二极管构成。

具体的，本发明中所述的低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压 稳压二极管均采用现有技术中的公知技术，有关上述公知技术方案，本领域的技术人员均已了解，在此不再赘述。

本发明的工作原理是：高压驱动MOS管特有的PN结比较深，电流相对较分散，PN结局部温度相对较不会过高；高压驱动MOS管击穿电压高，低压器件构成的ESD保护电路的击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠性，及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路本身面积小，实现成本较低。

本发明和已有技术相比较，其效果是积极和明显的。本发明利用低压器件构成的ESD保护电路，击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠性，及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路本身面积小，实现成本较低。

附图说明：

图1是本发明的一种高性能LED恒流驱动电路的原理示意图。

图2是本发明的一种高性能LED恒流驱动电路的一个实施例的示意图。

图3是本发明的一种高性能LED恒流驱动电路的另一个实施例的示意图。

图4是本发明的一种高性能LED恒流驱动电路的又一个实施例的示意图。

具体实施方式：

实施例1：

如图1所示，本发明的一种高性能LED恒流驱动电路，由一个高压驱动MOS管1、一个低压恒流MOS管2和一个ESD保护电路3构成，其中，所述的高压驱动MOS管1的源端与所述的低压恒流MOS管2的漏端连接，低压恒流MOS管2的源端与地电位连接，所述的ESD保护电路3由低压器件构成，所述的ESD保护电路3的一端与高压驱动MOS管1的漏端连接，ESD保护电路3的另一端与地电位连接。

进一步的，所述的ESD保护电路3由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管1的耐压稳压二极管构成。

具体的，本发明中所述的低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管1的耐压稳压二极管均采用现有技术中的公知技术，有关上述公知技术方案，本领域的技术人员均已了解，在此不再赘述。

如图2所示，ESD保护电路3由一个低压MOS管构成。

如图3所示，ESD保护电路3由一个低压NPN三极管构成。

如图4所示，ESD保护电路3由一个低压二极管构成。

本发明的工作过程是：高压驱动MOS管1特有的PN结比较深，电流相对较分散，PN结局部温度相对较不会过高；高压驱动MOS管1击穿电压高，低压器件构成的ESD保护电路3的击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管1的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠性，及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路3本身面积小，实现成本较低。