[发明专利]一种磁控溅射源及等离子体处理设备

权利要求书

1.一种磁控溅射源，包括靶材及设置在靶材上方的磁体单元，其特征在于，还包括磁体移动装置，其与所述磁体单元相连并可带动磁体单元中的可移动磁体在靶材上方运动，以改变磁力线的分布，进而实现靶材轰击的均匀性。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，所述磁体单元包括单独一个磁体，该磁体为可移动磁体并且连接所述磁体移动装置，并在磁体移动装置的带动下在靶材上方运动。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，所述磁体单元包含多个磁体，并且其中至少一个磁体为可移动磁体，所述可移动磁体连接所述磁体移动装置，并在该磁体移动装置的带动下，作远离或靠近其他磁体的运动。

4.根据权利要求2或3所述的磁控溅射源，其特征在于，所述磁体移动装置包括偏心轮及与之相配合的偏心轮从动件，所述可移动磁体连接所述偏心轮从动件，通过偏心轮从动件在偏心轮外缘上的移动而带动所述磁体在靶材上方运动。

5.根据权利要求2或3所述的磁控溅射源，其特征在于，所述磁体移动装置包括导轨及与之相配合的滑块，所述可移动磁体与所述滑块相连，通过滑块和导轨之间的相对运动而带动所述磁体在靶材上方运动。

6.根据权利要求2或3所述的磁控溅射源，其特征在于，所述磁体移动装置包括丝杠及与之相配合的螺母，所述可移动磁体连接所述螺母，通过螺母和丝杠之间的相对运动而带动所述磁体在靶材上方运动。

7.一种等离子体处理设备，包括反应腔室，其内设置有被加工基体，其特征在于，在所述基体上方还设置有至少一个如权利要求1所述的磁控溅射源，以实现靶材溅射的均匀性，进而实现基体上薄膜沉积的均匀性。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述磁控溅射源的数量为两个，并且第一磁控溅射源中可移动磁体的运动方向与第二磁控溅射源中可移动磁体的运动方向相反。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述每一个磁控溅射源中最靠近另一个磁控溅射源的磁体极性相反。

10.根据权利要求7至9中任意一项所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述基体在反应腔室径向方向上运动，以进一步使其上的薄膜沉积更为均匀。

11.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体处理设备是物理气相沉积装置。