[发明专利]基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器无效
| 申请号: | 201010117754.7 | 申请日: | 2010-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN101799334A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | 满江伟;陈伟;张红广;韩威;孙可;谢亮;祝宁华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | G01K11/32 | 分类号: | G01K11/32 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 马赫 曾德尔 结构 硅基光 波导 温度传感器 | ||
1.一种基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,是利用其透射光谱对温度的敏感性来实现对温度的传感,包括:
一激光器;
一Y型波导,该Y型波导的一端为入射波导,入射波导的一端有一第一正锥,该Y型波导的第一正锥通过光纤与激光器连接;
该Y型波导的另两端分为参考臂波导和传感臂波导;
该Y型波导的参考臂波导的一端有一第二正锥;
该Y型波导的传感臂波导的一端有一第三正锥;
一第一功率计,该第一功率计通过光纤与参考臂波导的第二正锥连接;
一马赫-曾德尔波导结构,该马赫-曾德尔波导结构接入传感臂波导的中间;
一第二功率计,该第二功率计通过光纤与传感臂波导的第三正锥连接。
2.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中所采用的激光器是DFB激光器或DBR激光器的单模激光器。
3.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中所述的第一正锥、第二正锥和第三正锥为正锥结构或倒锥结构。
4.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中Y型波导的分光比为3dB。
5.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中马赫-曾德尔波导结构的两臂长差为厘米量级。
6.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中第一功率计和第二功率计采用光功率计或光探测器。
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