[发明专利]基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器无效

专利信息
申请号: 201010117754.7 申请日: 2010-03-03
公开(公告)号: CN101799334A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 满江伟;陈伟;张红广;韩威;孙可;谢亮;祝宁华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01K11/32 分类号: G01K11/32
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 马赫 曾德尔 结构 硅基光 波导 温度传感器
【权利要求书】:

1.一种基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,是利用其透射光谱对温度的敏感性来实现对温度的传感,包括:

一激光器;

一Y型波导,该Y型波导的一端为入射波导,入射波导的一端有一第一正锥,该Y型波导的第一正锥通过光纤与激光器连接;

该Y型波导的另两端分为参考臂波导和传感臂波导;

该Y型波导的参考臂波导的一端有一第二正锥;

该Y型波导的传感臂波导的一端有一第三正锥;

一第一功率计,该第一功率计通过光纤与参考臂波导的第二正锥连接;

一马赫-曾德尔波导结构,该马赫-曾德尔波导结构接入传感臂波导的中间;

一第二功率计,该第二功率计通过光纤与传感臂波导的第三正锥连接。

2.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中所采用的激光器是DFB激光器或DBR激光器的单模激光器。

3.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中所述的第一正锥、第二正锥和第三正锥为正锥结构或倒锥结构。

4.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中Y型波导的分光比为3dB。

5.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中马赫-曾德尔波导结构的两臂长差为厘米量级。

6.根据权利要求1所述的基于马赫-曾德尔结构的硅基光波导温度传感器,其中第一功率计和第二功率计采用光功率计或光探测器。

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