[发明专利]一种带载波红外遥控信号的解调方法

权利要求书

1.一种带载波红外遥控信号的解调方法，适用于遥控系统中，其特 征在于：该方法利用无源半导体电子元件的导通方向性，将载波群转换成 电容储存的电能，由电容电能的消耗程度来确定载波群是否已经结束，并 据此生成滤除载波后的红外遥控信号；

该方法基于带载波红外遥控信号解调电路，所述的解调电路的载波群 电压信号的输入端IN连接二极管D1的输入端，二极管D1的输出端串联 电阻R2后连接到晶体三极管Q1的基极，电容C1与电阻R1并联后一端接 在二极管D1的输出端与电阻R2之间，另一端接晶体三极管Q1的发射极， 且晶体三极管Q1的发射极接地，晶体三极管Q1的集电极一路串联电阻R3 后接电源的正极VCC，一路输出连接输出端OUT。

2.根据权利要求1所述的带载波红外遥控信号的解调方法，其特征 在于：输入信号处于高电平时二极管导通对电容充电，输入信号处于低电 平时二极管截止，电容处于放电状态，电容的放电程度确定晶体三极管的 导通状态，晶体三极管的导通状态对应输入信号的载波群时段，晶体三极 管的截止状态对应输入信号的无载波时段；

或输入信号处于低电平时二极管导通对电容充电，输入信号处于高电 平时二极管截止，电容处于放电状态，电容的放电程度确定晶体三极管的 截止状态，晶体三极管的截止状态对应输入信号的载波群时段，晶体三极 管的导通状态对应输入信号的无载波时段。

3.根据权利要求2所述的带载波红外遥控信号的解调方法，其特征 在于：电容储存的电能的消耗程度，通过一个与电容并联的放电电阻来调 节。

4.根据权利要求2所述的带载波红外遥控信号的解调方法，其特征 在于：增加输入波形整形模块以改变输入波形的电平、相位或跳变沿形状， 或增加输出波形整形模块以改变输出波形的电平、相位或跳变沿形状。

5.根据权利要求1所述的带载波红外遥控信号的解调方法，其特征 在于：在所述调解电路的基础上增加了输入信号整形电路，由电阻R4和 齐纳二极管ZD1组成，电阻R4串联在载波群电压信号的输入端IN和二极 管D1的输入端之间，齐纳二极管ZD1与电容C1并联，齐纳二极管ZD1输 出端接在电阻R4与二极管D1的输入端之间，齐纳二极管ZD1的输入端接 地，电容C1一端接在二极管D1的输出端与电阻R2之间，另一端接地， 输入信号整形电路的增加，使电路的滤波频率参数基本不受输入信号电压 幅度的影响。

6.一种带载波红外遥控信号的解调方法，适用于遥控系统中，其特 征在于：该方法利用无源半导体电子元件的导通方向性，将载波群转换成 电容储存的电能，由电容电能的消耗程度来确定载波群是否已经结束，并 据此生成滤除载波后的红外遥控信号；

该方法基于带载波红外遥控信号解调电路，所述的解调电路的载波群 电压信号的输入端IN串联电阻R1后连接到晶体三极管Q1的基极，电阻 R2并联在晶体三极管Q1的基极和发射极之间，晶体三极管Q1依次串联二 极管D1、齐纳二极管ZD1、晶体三极管Q2、Q3，晶体三极管Q1的集电极 与二极管D1的输出端相连，二极管D1的输入端与齐纳二极管ZD1的输出 端相连，齐纳二极管ZD1的输入端与晶体三极管Q2的基极相连，晶体三 极管Q2的集电极与晶体三极管Q3的基极相连，电阻R3、电容C1、电阻 R4、R5、R6并联，电阻R3一端接在晶体三极管Q1的集电极与二极管D1 的输出端之间，另一端接电源VCC，电容C1与电阻R4并联后一端接在二 极管D1的输入端与齐纳二极管ZD1的输出端之间，另一端接电源VCC，电 阻R5一端接在晶体三极管Q2的集电极与晶体三极管Q3的基极之间，另 一端接电源VCC，电阻R6一端接晶体三极管Q3的集电极，另一端接电源 VCC，晶体三极管Q3的集电极接解调电路输出端OUT，晶体三极管Q1、Q2、 Q3的发射极接地，电容C1充电后晶体三极管Q2基极电位降低，齐纳二极 管ZD1协助晶体三极管Q2截止。

7.一种带载波红外遥控信号的解调方法，适用于遥控系统中，其特 征在于：该方法利用无源半导体电子元件的导通方向性，将载波群转换成 电容储存的电能，由电容电能的消耗程度来确定载波群是否已经结束，并 据此生成滤除载波后的红外遥控信号；

该方法基于带载波红外遥控信号解调电路，所述的解调电路的载波群 电压信号的输入端IN串联电阻R1后连接到晶体三极管Q1的基极，电阻 R2并联在晶体三极管Q1的基极和发射极之间，晶体三极管Q1的集电极依 次串联电容C1、二极管D2、电阻R5、晶体三极管Q2、Q3，二极管D2的 输出端与电容C1连接，二极管D2的输入端与电阻R5相连，晶体三极管 Q2的基极与电阻R5的另一端连接，晶体三极管Q2的集电极与晶体三极管 Q3的基极连接，电阻R3一端连接在晶体三极管Q1的集电极与电容C1之 间，另一端接电压VCC1，二极管D1、电容C2、电阻R4、R6、R7并联，二 极管D1输入端接在电容C1与二极管D2的输出端之间，另一端接电压VCC2， 电容C2与电阻R4并联后一端接在二极管D2的输入端与电阻R5之间，另 一端接电源VCC2，电阻R6一端接在晶体三极管Q2的集电极与晶体三极管 Q3的基极之间，另一端接电源VCC2，电阻R7一端接晶体三极管Q3的集 电极，另一端接电源VCC2，晶体三极管Q3的集电极接解调电路输出端OUT， 晶体三极管Q1、Q2、Q3的发射极接地，电源VCC1高于电源VCC2，电容 C1充电后晶体三极管Q2基极电位降低，齐纳二极管ZD1协助晶体三极管 Q2截止。