[发明专利]一种基于隧道效应的接触式纳米位移传感器有效

专利信息
申请号: 201010101154.1 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN101769711A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 罗静;王春欢;詹捷;张微 申请(专利权)人: 重庆理工大学
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 李晓兵;李玉盛
地址: 400054重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 隧道 效应 接触 纳米 位移 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于隧道效应的接触式纳米位移传感器,包括被测物体(2)和 绝缘外壳(13),其特征在于:在所述被测物体(2)周围设置测头(1),测 头(1)上端连接在导杆(3)上,石墨块(4)设置在导杆(3)的上面,微 进给机构(11)作用时能驱动测头(1)移动;在石墨块(4)的上方,设置 探针(10),探针(10)连接在压电陶瓷管(9)上,压电陶瓷管(9)与压电 陶瓷驱动器(8)连接,探针(10)在压电陶瓷驱动器(8)动作下伸长或收 缩,石墨块(4)与探针(10)构成隧道效应,在偏压电路(5)中形成隧道 电流;信号采集系统(6)连接在偏压电路(5)中,信号采集系统(6)采集 偏压电路(5)中的隧道电流信号,经信号处理系统(7)处理后输送入压电 陶瓷驱动器(8)内,作为压电陶瓷驱动器(8)的反馈驱动信号,控制压电 陶瓷驱动器(8)产生动作。

2.根据权利要求1所述的一种基于隧道效应的接触式纳米位移传感器, 其特征在于:微进给机构(11)驱动测头(1)与被测物体(2)接触后,微 进给机构(11)继续进给,测头(1)在被测物体(2)的作用下通过导杆(3) 推动石墨块(4)靠近探针(10),进入隧道效应状态。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于隧道效应的接触式纳米位移传感 器,其特征在于:信号处理系统(7)记录下压电陶瓷驱动器(8)上的驱动 电压值,测算出被测物体(2)的微小位移量。

4.根据权利要求1或2或所述的一种基于隧道效应的接触式纳米位移传 感器,其特征在于:绝缘外壳(13)内设置弱磁性永久磁铁环(12)和复位 弹簧(16),由复位弹簧(16)构成弹簧减震,再通过弱磁性永久磁铁环(12) 构成磁性阻尼减振。

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