[发明专利]光刻用防护薄膜组

说明书

技术领域

本发明是关于一种光刻用防护薄膜组件，其在制造LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示板时作为光刻用遮罩的防尘器使用。

背景技术

在LSI、超LSI等半导体装置或是液晶显示板等产品的制造过程中，会用光照射半导体晶圆或液晶用原板以制作形成图案，惟若此时所使用的曝光原版(光刻用遮罩)有灰尘附着的话，由于该灰尘会吸收光，使光反射，除了会让转印的图案变形、使边缘变粗糙之外，还会使基底污黑，损坏尺寸、品质、外观等。

因此，这些作业通常是在无尘室内进行，然而即使是在无尘室内进行，想要经常保持曝光原版清洁仍是相当困难，故我们遂在曝光原版的表面贴合防护薄膜组件作为防尘器使用，该防护薄膜组件是将透光性良好的防护薄膜贴附在防护薄膜组件框架上所构成的。此时，异物并非直接附着于曝光原版的表面上，而是附着于防护薄膜上，故只要在光刻时将焦点对准曝光原版的图案，防护薄膜上的异物就不会对转印造成影响。

防护薄膜组件的基本构造，是由防护薄膜组件框架与防护薄膜所构成的；防护薄膜是由硝化纤维素、醋酸纤维素、氟类聚合物等物质所构成的，其是透明的，对曝光用光线具备良好的透光性；防护薄膜组件框架是由实施过黑色氧皮铝处理且符合A7075、A6061、A5052等日本工业规格(JapaneseIndustrial Standards；JIS)的铝合金、不锈钢、聚乙烯等材料所构成的；我们在防护薄膜组件框架的上部涂布防护薄膜的良好溶媒，让防护薄膜风干接合于防护薄膜组件框架的上部(参照专利文献1)，或是用丙烯酸树脂、环氧树脂或氟树脂等接合剂接合(参照专利文献2、专利文献3)；然后，为了在防护薄膜组件框架的下部铺设曝光原版，遂设置由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂以及硅氧树脂等物质所构成的黏着层，以及用来保护黏着层的初缩遮罩黏着剂保护用垫片。

当在曝光原版上贴合防护薄膜组件时，防护薄膜组件内部会形成密闭空间。此时，由于防护薄膜不具备透气性，故若温度发生变化的话，该密闭空间内的气体就会膨胀或收缩，进而让防护薄膜朝上方膨起，或朝下方凹陷。为了防止这个问题发生，我们遂在防护薄膜组件框架上设置通气孔(参照专利文献4)。在专利文献4中，如图8所示的，揭示防护薄膜组件框边12，其设有通气孔11；以及防护薄膜组件框边13，其涂布有黏着剂14，该黏着剂14可捕捉侵入到防护薄膜组件的密闭空间内或在防护薄膜组件的密闭空间内存在、产生的尘埃。

又，亦有在防护薄膜组件内部不使用黏着剂，而仅在防护薄膜组件框架上设置通气孔的例子(参照图9)。

然而，设置一个或多个通气孔的防护薄膜组件，换气的效率较差，若在防护薄膜组件内部的密闭空间内的气压变动，例如，在伴随曝光的遮罩环境下的气压变化不大的话便无法顺利换气，且从防护薄膜组件的构件中所产生的有机或无机气体，会与在光刻步骤的紫外线(i线、g线、KrF雷射、ArF雷射、F2雷射等)的照射、曝光时或在光罩保管时，从防护薄膜组件构件内部脱离而在防护薄膜组件与光罩所形成的密闭空间内产生并滞留形成气体状物质并在曝光时的紫外线下存在于环境中的氨或氰化合物或其他碳氢化合物等发生光化学反应，而产生以硫酸铵等物质作为代表称为所谓雾霭的雾状物质或微小粒子，要解决这些问题是相当困难的。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开昭58-219023号公报

[专利文献2]美国专利第4861402号说明书

[专利文献3]日本特公昭63-27707号公报

[专利文献4]日本特开平3-166545号公报

防护薄膜组件会覆盖形成于遮罩基板表面上的图案区域。防护薄膜组件是用来防止异物附着到遮罩基板上而设置的构件，故能隔离该图案区域与防护薄膜组件外部，防止防护薄膜组件外部的尘埃附着到图案表面上。

近年来，LSI的布局规则向0.25微米以下微细化进展，随之曝光光源也向短波长化进展，亦即，逐渐从原为主流的水银灯的g线(436nm)、I线(365nm)，转而使用KrF准分子雷射(248nm)、ArF准分子雷射(193nm)、F2雷射(157nm)等雷射光。曝光光线像这样朝短波长化发展，当然曝光光线所拥有的能量也会变高。当使用高能量的光线时，比起习知波长的光线而言，让存在于曝光环境的气体状物质发生反应而在遮罩基板上产生反应物质的可能性就变得更高了。