[发明专利]用于评估传感器的电路系统及方法

权利要求书

1.一种用于评估一个传感器的电路系统，所述电路系统具有两个复阻抗(2，3，13，14)，所述复阻抗(2，3，13，14)分别为振荡电路的部件，其中，所述复阻抗(2，3，13，14)能够受激振荡，以及其中，所述两个复阻抗(2，3，13，14)中的至少一个为所述传感器的构件，其特征在于，提供计数器(9，18)和开关装置(8，16)，用所述计数器(9，18)交替地对所述两个振荡电路中的一个的振荡进行计数，当达到可指定的计数器状态时，开关所述开关装置(8，16)，并将所述开关装置的开关信号用作所述电路系统的脉宽调制的输出信号(11，21)。

2.如权利要求1所述的电路系统，其特征在于，所述第二复阻抗被设计为参考阻抗。

3.如权利要求1所述的电路系统，其特征在于，所述两个复阻抗(2，3，13，14)为所述传感器的构件。

4.如权利要求3所述的电路系统，其特征在于，所述传感器被设计为差分传感器。

5.如权利要求1至4其中一项所述的电路系统，其特征在于，所述复阻抗由线圈形成。

6.如权利要求5所述的电路系统，其特征在于，所述线圈(2，3，13，14)被设计为平线圈。

7.如权利要求5或6所述的电路系统，其特征在于，在所述传感器的线圈(2，3，13，14)的影响区内安装软磁薄膜(4，5，19，20)或软磁薄层，所述软磁薄膜(4，5，19，20)或软磁薄层的磁化率取决于一个磁场的场强度而在所述磁场的影响下发生变化。

8.如权利要求7所述的电路系统，其特征在于，在所述线圈(2，3，13，14)的两侧上都安装软磁薄膜(4，5，19，20)或软磁薄层。

9.如权利要求7或8所述的电路系统，其特征在于，在所述软磁薄膜(4，5，19，20)/薄层远离所述线圈(2，3，13，14)的一侧上安装导体层，由此使所述软磁薄膜(4，5，19，20)/薄层相对于所述导体层电绝缘。

10.如权利要求1至9其中一项所述的电路系统，其特征在于，将磁铁(10)指定给待检测的被测物。

11.如权利要求10所述的电路系统，其特征在于，所述磁铁(10)包括有直流电流过的永磁铁或线圈。

12.如权利要求1至11其中一项所述的电路系统，其特征在于，所述振荡电路分别由所述线圈之一与电容器并联或串联形成。

13.如权利要求1至11其中一项所述的电路系统，其特征在于，所述振荡电路被设计为多谐振荡器(6，7，15)，所述多谐振荡器(6，7，15)的时间常数由相关的线圈(2，3，13，14)和电阻器来确定。

14.如权利要求1至13其中一项所述的电路系统，其特征在于，所述振荡电路的构件以这样一种方式选择，使得频率介于100kHz和20MHz之间。

15.一种使用电路系统、尤其是按照权利要求1至14其中一项所述的电路系统，来评估一个感应传感器的方法，其中，所述电路系统具有两个复阻抗(2，3，13，14)，每个复阻抗均为振荡电路的部件，以及其中，所述两个复阻抗(2，3，13，14)中的至少一个为所述传感器的构件，其特征在于，用计数器(9，18)交替地对所述振荡电路中的一个的振荡进行计数，在每种情况下，当达到可指定的计数器状态时，启动开关装置(8，16)，并且切换到对另一个振荡电路的振荡进行计数的另一个振荡电路，并输出所述开关装置(8，16)作为脉宽调制的输出信号(11，21)。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，使用与位置传感器相关的所述方法来确定被测物的位置。

17.如权利要求15或16所述的方法，其特征在于，从低通滤波的输出信号或从所述输出信号(11，21)的占空比来确定所述被测物的位置。

18.如权利要求15至17其中一项所述的方法，其特征在于，从所述输出信号(11，21)的周期长度来确定所述被测物与所述传感器的距离d_Mag。