[发明专利]用于使用双极二极管元件修整带隙偏移的系统及方法

权利要求书

1.一种集成电路，其包含：

未经修整带隙产生电路；及

耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路，所述带隙产生电路包含：

由所述未经修整带隙产生电路控制且与电阻器及第一双极二极管装置串联耦合的电流源，

双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管装置与所述第一双极二极管装置并联耦合，其中所述集成电路的经修整带隙参考电压输出为双极二极管装置的数目的函数。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述一个或一个以上双极二极管装置包含双极结晶体管。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电流源为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述一个或一个以上双极二极管装置通过与每一双极二极管装置串联耦合的相应金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与所述第一双极二极管并联耦合。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述一个或一个以上双极二极管装置为确定为不同尺寸的至少两个双极二极管装置。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中至少一个双极二极管装置通过与所述至少一个双极二极管装置串联耦合的熔丝与所述第一双极二极管并联耦合。

7.根据权利要求4所述的集成电路，其进一步包含用于控制与每一双极二极管装置串联耦合的所述金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的控制单元。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述控制单元包含非易失性存储器。

9.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述电阻器由串联耦合的至少两个电阻器形成。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述未经修整带隙产生电路包含第一及第二分支，其各自具有电流源、串联耦合的电阻器与双极二极管装置以及与所述第一及第二分支耦合且具有控制所述电流源的输出的差分放大器。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述第一分支包含一连串两个电阻器且所述两个电阻器之间的节点与所述差分放大器耦合，且其中所述第二分支在所述电阻器与所述双极二极管装置之间的节点处连接到所述差分放大器。

12.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述未经修整带隙产生电路的每一双极二极管装置包含双极结晶体管。

13.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述未经修整带隙产生电路的每一电流源为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

14.一种用于修整带隙输出的系统，所述系统包含：

未经修整带隙产生电路；

耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路，所述带隙产生电路包含：

由所述未经修整带隙产生电路控制且与电阻器及第一双极二极管装置串联耦合的电流源，

双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管与开关串联耦合，其中所述双极二极管装置与开关的串联与所述第一双极二极管并联耦合；及

提供用于所述开关的控制信号的处理器，其中所述集成电路的经修整带隙输出为通过所述开关并联耦合的双极二极管装置的数目的函数。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述一个或一个以上双极二极管装置包含双极结晶体管。

16.根据权利要求14所述的系统，其中所述电流源为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

17.根据权利要求14所述的系统，其中所述开关为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

18.根据权利要求14所述的系统，其进一步包含用于控制所述开关的控制单元。

19.根据权利要求18所述的系统，其中所述控制单元包含非易失性存储器。

20.根据权利要求14所述的系统，其中所述电阻器由串联耦合的至少两个电阻器形成。