[发明专利]电平移位电路、负载驱动装置及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及电平移位电路(level shifter circuit)、及使用该电平移位电路的负载驱动装置(例如，液晶驱动装置)以及液晶显示装置。

背景技术

图6是表示电平移位电路的一个现有例的电路图。如图6所示，现有的电平移位电路构成为具有：反相器(inverter)INVa、INVb、P沟道型MOS场效应Pa～Pd、N沟道型MOS场效应晶体管Na～Nd。此外，在由上述结构组成的电平移位电路中，反相器INVa、INVb分别被连接于正电位VDDI(例如，1.6[V])的施加端和接地电位VSS(0[V])的施加端之间，晶体管Pa、Pb、Na、Nb分别被连接于正电位VDDI的施加端和负电位MVDD(例如，-6.0[V])的施加端之间，晶体管Pc、Pd、Nc、Nd分别被连接于接地电位VSS的施加端和负电位MVDD的施加端之间。

此外，作为与上述相关联的现有技术的一例，能举出专利文献1。

专利文献1：JP特开2000-195284号公报

当然，在上述现有的电平移位电路中，可将在接地电位VSS与正电位VDDI之间被脉冲驱动的输入信号IN变换为在接地电位VSS与负电位MVDD之间被脉冲驱动的输出信号OUT来输出。

可是，因为上述现有的电平移位电路采用了在P沟道型MOS场效应晶体管Pa、Pb的栅极中接受在接地电位VSS与正电位VDDI之间被脉冲驱动的输入信号IN的构成，所以为了可靠地导通/截止晶体管Pa、Pb，需要向晶体管Pa、Pb的源极施加正电位VDDI而不是接地电位VSS。

这样，在向晶体管Pa、Pb的源极施加了正电位VDDI的上述现有的电平移位电路中，由于向晶体管Pa～Pc及晶体管Na～Nc的栅极与源极之间、栅极与漏极之间、或源极与漏极之间最大施加正电位VDDI和负电位MVDD的电位差(例如，7.6[V])，故关于这些晶体管Pa～Pc及晶体管Na～Nc，必须使用能耐得住上述电位差的高耐压元件(例如，28[V]耐压)。

其中，上述的高耐压元件与耐压更低的中耐压元件(例如，6[V]耐压)及低耐压元件(例如，1.8[V]耐压)相比，由于栅极电容大且其充放电需要更多的电流，故成为导致导通/截止响应速度的低下以及与此相伴的贯通电流的增大(进一步地导致在电平移位电路整体中所消耗的动作电流的增大)的主要原因。

另外，上述高耐压元件与中耐压元件及低耐压元件相比，由于布局面积大，故成为阻碍半导体装置小型化的主要原因。特别是，像液晶驱动器IC那样，在必须将多个电平移位电路收纳配置于液晶面板的长宽中的情况下，根据PAD间距的制约等，由于无法使电平移位电路在横向(长边方向)大型化，故为了确保其布局面积，不得不使电平移位电路在纵向(短边方向)大型化，且难以响应液晶面板的窄边框化(narrow framing)这一请求。

发明内容

本发明鉴于上述问题点，其目的在于提供一种极力控制高耐压元件的使用数目以能够实现消耗电力的削减、响应速度的提高以及布局面积的缩小这样的电平移位电路、使用该电平移位电路的负载驱动装置及液晶显示装置。

为了达成上述目的，本发明所涉及的电平移位电路采用如下构成(第1构成)：具有差动放大器，所述差动放大器通过使用在接地电位的施加端与负电位的施加端之间连接的、由一对N沟道型场效应晶体管构成的差动输入级，以差动方式接收在所述接地电位与正电位之间被脉冲驱动的输入信号，并对其进行差动放大，从而生成在所述接地电位与所述负电位之间被脉冲驱动的输出信号。

此外，在由上述第1构成形成的电平移位电路中，也可采用如下构成(第2构成)：在形成所述电平移位电路的多个晶体管中，形成所述差动输入级的所述一对N沟道型场效应晶体管是能耐得住所述正电位和所述负电位的电位差的高耐压元件，其余的晶体管是耐压更低的中耐压元件或低耐压元件。

另外，由上述第2构成形成的电平移位电路也可采用如下构成(第3构成)：还具有：使能控制部，其根据第1控制信号使所述差动放大器接通/断开；和锁存输出部，其根据第2控制信号对所述差动放大器的输出信号进行采样/保持。