[发明专利]发光元件有效
申请号: | 200980141128.7 | 申请日: | 2009-10-15 |
公开(公告)号: | CN102187735A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 纳谷昌之 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H05B33/02 | 分类号: | H05B33/02;G02B5/02;G02B5/08;H01L51/50;H05B33/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,所述发光元件包括:
基板;
一对电极,所述一对电极形成于所述基板的表面上;以及
发光层,所述发光层被夹在所述一对电极之间;
所述一对电极中的至少一个是透光性电极,光通过在所述一对电极之间施加电压而从所述发光层发射,并且所述光从所述发光层的表面朝向所述透光性电极那侧输出;其特征在于所述发光元件还包括:
光散射层,所述光散射层被设置在所述透光性电极的表面上,用于散射在该表面产生的瞬逝光;
所述光散射层具有第一散射部和第二散射部,所述第一散射部具有凹凸结构和比所述发光层的折射率更低的折射率,所述第二散射部至少填充所述第一散射部的所述凹凸结构中的凹部的底部,并具有与所述第一散射部的折射率不同的折射率;并且
在所述凹部的底部和所述透光性电极的所述表面之间的距离小于或等于所述瞬逝光的穿透深度。
2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于:
所述第二散射部由填充部和薄膜层构成,所述填充部填充所述凹部,所述薄膜层形成于所述填充部和所述凹凸结构中的凸部上。
3.如权利要求1和权利要求2中任一项所述的发光元件,所述发光元件还包括:
保护层,所述保护层被设置在所述光散射层的朝向所述透光性电极的那侧的相反侧的表面上。
4.如权利要求3所述的发光元件,其中:
所述第一散射部的折射率和所述保护层的折射率近似相同。
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其特征在于:
所述第二散射部由金属形成。
6.如权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其特征在于:
所述第二散射部由电介质形成,所述电介质的折射率高于所述第一散射部的折射率。
7.如权利要求1至6中任一项所述的发光元件,所述发光元件还包括:
半透/半反性金属膜,所述半透/半反性金属膜被设置在所述透光性电极和所述光散射层之间。
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光元件,其特征在于:
所述发光层是有机化合物层。
9.如权利要求1至7中任一项所述的发光元件,其特征在于:
所述发光层是无机化合物层。
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