[发明专利]传热系统，流体和方法

说明书

本申请要求了2008年7月11日申请的美国临时申请No. 61/080,033的权益，它的内容通过对其进行引用而加入本文中。

背景技术

本公开一般地涉及传热系统，传热流体和传热方法。

动力源（power source）的运转产生热。与动力源连通的传热系统调节所产生的热，并且确保动力源在最适温度下运转。该传热系统一般包括促进从动力源吸收和耗散热量的传热流体。一般包括水和二醇的传热流体与易于发生腐蚀的一种或几种金属部件紧密接触。因此，几种腐蚀抑制剂被添加到传热流体中以保护金属部件不受腐蚀。传统的传热流体能够显示出极高的电导率，常常在3000微西门子/厘米（microsiemens per centimeter）(μS/cm)或更高的范围。该高电导率通过促进金属部件的腐蚀而对传热系统产生不利影响，以及对于其中传热系统暴露于电流的动力源的情况，如在燃料电池或类似物中，高电导率能够导致电流的短路和导致电击。

铝、镁和它们的合金越来越多地用于制造传热系统的几种组件。它们是有利的，这尤其是因为它们的轻质，高强度，和相对容易制造。铝，镁和它们的合金能够用于内燃机和替代动力源（alternative power sources）的传热系统中。然而，镁、铝和它们的合金当与传统的高电导率的传热流体接触时是高度易腐蚀的。另外，传统传热流体的发泡进一步促进铝，镁和它们的合金的腐蚀。

因此，需要传热系统和希望用于其中的流体，其中该传热系统包括与所述传热流体密切接触的铝、镁或它们的合金。该传热流体有利地具有低电导率和良好的发泡性能。

发明内容

上述和其它缺点通过传热系统得以减轻，该传热系统包括限定传热流体的流路的循环回路和传热流体，该传热流体包括：液体冷却剂；通式R₃-Si-[O-Si(R)₂]_x-OSiR₃的硅氧烷腐蚀抑制剂，其中R独立地是1-200个碳原子的烷基或聚环氧烷共聚物，x是0-100，和此外其中存在至少一个烷基和至少一个聚环氧烷共聚物；和非导电性(non-conductive)聚二有机基硅氧烷消泡剂，其中传热流体的电导率低于约100 μS/cm，和其中该传热系统包括与所述传热流体密切接触的铝、镁或它们的组合。

在一个实施方案中，传热流体包括：液体冷却剂；通式R₃-Si-[O-Si(R)₂]_x-OSiR₃的硅氧烷腐蚀抑制剂，其中R独立地是1-200个碳原子的烷基或聚环氧烷共聚物，x是0-100，和另外其中存在至少一个烷基和至少一个聚环氧烷共聚物；和非导电性聚二有机基硅氧烷消泡剂，其中传热流体的电导率是低于约100 μS/cm。

在另一个实施方案中，传热方法包括让传热系统与传热流体接触，其中该传热系统包括限定所述传热流体的流路的循环回路，以及铝、镁或它们的组合，其中该传热流体包括：液体冷却剂；通式R₃-Si-[O-Si(R)₂]_x-OSiR₃的硅氧烷腐蚀抑制剂，其中R独立地是1-200个碳原子的烷基或聚环氧烷共聚物，x是0-100，和另外其中存在至少一个烷基和至少一个聚环氧烷共聚物；和非导电性聚二有机基硅氧烷消泡剂，其中传热流体的电导率低于约100μS/cm，和其中该铝、镁或它们的组合与传热流体密切接触。

附图说明

现在参见附图，其中在几个附图中同样的元件有同样的编号：

图1是传热系统的一个实施方案的示意图；和

图2是传热系统的另一个实施方案的示意图。

具体实施方式

出人意料地，本发明人已经发现，包括液体冷却剂、硅氧烷腐蚀抑制剂和非导电性聚二有机基硅氧烷消泡剂的传热流体是有效的低电导率传热流体，其有利地用于其中传热流体与铝、镁或它们的合金和/或与其中传热流体暴露于电流的动力源密切接触的传热系统中。所述传热流体的电导率有利地低于约100μS/cm。在一个有利的实施方案中，该传热流体进一步包括唑（azole）。

如在本文中使用的那样，“铝”指铝金属，它的合金或它们的组合，以及“镁”指镁金属，它的合金，或它们的组合。