[实用新型]一种沉淀器无效
申请号: | 200920236814.X | 申请日: | 2009-09-30 |
公开(公告)号: | CN201603555U | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 张宗国;郝义田 | 申请(专利权)人: | 佛冈佳特金属有限公司 |
主分类号: | B01J19/18 | 分类号: | B01J19/18;B01J19/26 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 511600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沉淀 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种沉淀设备,尤其涉及一种连续循环浮床沉淀器。
背景技术
随着科学技术的发展,铌被广泛应用于电子陶瓷、光学玻璃、人工晶体、超导材料等高科技领域,人们开始重视铌的各种形态产品的研究,并形成工业、光玻、高纯三个级别的氧化物产品。1991年7月,日本东京技术学会根据氧化铌(Nb2O5)在大容量叠层陶瓷电容器的应用,制定了Nb2O5的标准要求,对物性的平均粒度要求为0.32μm,用于制作介电性能极好的电子陶瓷。
现有的Nb2O5生产工艺的机理为:H2NbOF5+5NH3+4H2O=Nb(OH)5↓+5NH4F;其具体的工艺流程为:将氟氧铌酸(H2NbOF5)溶液打入沉淀器中,然后向沉淀器中通入NH3,经局部搅拌后,Nb(OH)5以絮状物沉淀,其平均粒度为60nm;再将Nb(OH)5浆料过滤,并用纯水洗F-;对Nb(OH)5进行烘干、焙烧后,最后磨筛成最终的Nb2O5产品。
现有的Nb2O5生产工艺及沉淀设备的缺点为:在工艺上随着NH3的通入,酸碱中和,溶液进入“亚稳区”后,迅速产生过饱和溶液,大量的晶核随之产生,来不及生长和陈化;并且,由于沉淀设备的局部搅拌强度大,无促使和保证晶核长大的条件,所得的产品大都是絮状沉淀物,颗粒度过细,即使能得到团聚的沉淀物,在焙烧、磨筛或制作陶瓷电容器的混料过程中也会磨碎,造成氧化铅-氮化镁-氧化铌混料时“偏析”;这种沉淀方式所得的Nb2O5应用到陶瓷电子上,其介电常数低于10000,无法制作介电性能极好的电子陶瓷。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种沉淀器,可实现桨料在沉淀槽内连续循环,保证粗颗粒沉淀物的生成。
本实用新型实施例提供一种沉淀器,所述沉淀槽的腔内设有环状挡板和搅拌装置,所述环状挡板由外挡板和内挡板构成,所述外挡板为两端开口的漏斗结构,其上端面的边缘部位连接在所述沉淀槽的内壁面上;所述内挡板为两端开口的倒锥结构,固定在所述外挡板的内部;所述搅拌装置的桨叶置于所述内挡板的内部;
所述喷射泵设有混合室,以及与所述混合室相连通的第一进料口、第二进料口;所述混合室的底端设有导流管,所述导流管延伸至所述沉淀槽内的环状挡板的上端面。
其中,所述内挡板两端开口,构成所环状挡板的内通道;所述内挡板上端面的直径小于所述外挡板上端面的直径,所述内挡板下端面的直径小于所述外挡板下端面的直径,所述内挡板的外壁面与所述外挡板的内壁面之间构成所述环状挡板的外通道。
所述外挡板上端面的外径等于所述沉淀槽腔体的内径,所述外挡板上端面的边缘部位采用焊接或铰接的方式连接在所述沉淀槽中间部位的内壁面上;所述环状挡板将所述沉淀槽的内腔分隔为上下两部分,该上下两部分的液体通过所述环状挡板的内通道、外通道相连通。
所述搅拌装置由搅拌轴、桨叶、倒锥形结构,这种装置即有搅拌作用,也有提升作用,可简称为泵轮搅拌系统;所述搅拌轴垂直置于所述沉淀槽的中心轴线上;所述桨叶固定在所述搅拌轴上,且所述桨叶置于所述环状挡板的内通道。
实施本实用新型,具有如下有益效果:
本实用新型实施例提供的沉淀器,喷射泵可实现两种物料的予混合并注入沉淀槽中,沉淀槽内设有环状挡板和搅拌装置,该环状挡板由内挡板和外档板组成,形成内、外两个通道,搅拌装置的桨叶置于环状挡板的内通道中,当桨叶旋转工作时,桨料在环状挡板的内、外通道上连续循环,保证粗颗粒沉淀物的生成。本实用新型可用于制备粗粒径的氧化铌,喷射泵可实现铌液与氨气的予混合,予混合后的桨料注入沉淀槽内,沉淀槽内置的泵轮搅拌装置实现了桨料在槽内的连续循环,充分地保证了晶核形成、晶粒生长,沉淀生长和陈化(熟化)的工艺过程。所产生的中位颗粒粗大、坚硬、不包裹母液、吸附杂质少、产品纯度高,能满足大容量叠层陶瓷电容器的要求。
附图说明
图1是本实用新型提供的沉淀器的结构示意图。
具体实施方式
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