[实用新型]稳定射频功率放大器工作电流的控制电路有效
申请号: | 200920133716.3 | 申请日: | 2009-07-03 |
公开(公告)号: | CN201430573Y | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 曹飞;胡忠均 | 申请(专利权)人: | 深圳新飞通光电子技术有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/189;H03F1/30 |
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地址: | 518057广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳定 射频 功率放大器 工作 电流 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及GPON、EPON或BPON光网络传输系统用单光纤双向三端口光收发模块(Triplexer Optical Transceiver)中模拟光接收器,尤其涉及用于模拟光接收器的稳定射频功率放大器工作电流的控制电路。
背景技术
单光纤双向三端口光收发模块,包括:一单光纤、一数字光接收器、一模拟光接收器和一突发发射器,目前,对于单光纤双向三端口光收发模块,其模拟接收器的电路原理图如图1所示,光接收组件将波长为1550nm的光信号转换成微弱模拟电信号,经第一级放大器放大后由可变衰减器衰减输入至用于第二级放大的射频功率放大器,该放大器的输出信号分部分:一小部分经检波器输入至微处理器MCU反馈控制可变衰减器的控制电压,由MCU输出高低不同的电压来改变衰减器的衰减量;其余大部分信号经均衡器平衡后,射频输出RF out电信号。该种电路通常采用以下两种方案:一种是采用集成芯片方案,即将第一级放大器、可调衰减器和射频功率放大器集成,该集成结构电路方案调试和设计均较简单,但是一旦芯片的某部分出现问题,就会导致整个电路不能使用。另一种采用分离元器件构成的电路,即将第一级放大器、可调衰减器和射频功率放大器全部由分离元件构成,该方案调试相应比较繁琐,优点是可替代性较强,任何一部分出现问题,可以单独替换,灵活性较好。而该种分离方案均采取串联式供电,由于模块要求供电电压10%拉偏时放大器工作状态稳定,工作电流稳定。射频功率放大器工作电流的不稳定性:1、供电电压拉偏,如高低拉偏(大约10%)。这样会导致放大器工作电流变化(一般有20%~50%的变化量)。2、对环境温度的敏感,如工业级温度要求-45度~+85度。高温和低温下放大器工作电流会有10%~20%的变化量。目前为克服这一缺点,射频功率放大器采用成本相对较高的特定选型放大器芯片。该种芯片的可选型范围很小,由于器件的工作电流是固定的,所以无法任意更换放大器芯片,导致整个由分离方案构成的模拟电路使用不便。
发明内容
为克服以上缺点,实用新型提供一种元器件选型方便,成本低的分离式的稳定射频功率放大器工作电流的控制电路。
为达到以上发明目的,实用新型提供一种稳定射频功率放大器工作电流的控制电路,该控制电路包括:一电压源和一限流电阻,两者串联,所述限流电阻连接其中一端接地的第一滤波电容和第一隔离电感的第一端,该电感的第二端连接第一耦合电容的第一端和一射频功率放大管的基极,第一耦合电容的第二端连接射频输入端RF in;所述射频功率放大管的集电极连接第二隔离电感的第一端和第二耦合电容的第一端,该耦合电容的第二端连接射频输出端RF out,所述第二隔离电感的第二端连接电源Vcc和其中一端接地的第二滤波电容;所述射频功率放大管的发射极接地。
所述射频功率放大管为NPN三极管。
所述射频功率放大管为InGaP/GaAs HBT异质结双极晶体管。
由于上述控制电路中采用了普通的NPN三极管或InGaP/GaAs HBT异质结双极晶体管作为射频功率放大管,在电压拉偏和高低温下,放大器的工作电流变化量可控制在5%以内。大大的提高了放大器的工作稳定性和整个电路的可靠性。
附图说明
图1表示单光纤双向三端口光收发模块模拟接收部分的电路原理图。
图2表示本实用新型稳定射频功率放大器工作电流的控制电路第一种实施例。
图2表示本实用新型稳定射频功率放大器工作电流的控制电路第二种实施例。
具体实施方式
下面结合附图详细描述本实用新型最佳实施例。
如图2所示的稳定射频功率放大器工作电流的控制电路的第一种实施例,该控制电路包括:一电压源101和一限流电阻102,两者串联,限流电阻连接其中一端接地的第一滤波电容103和第一隔离电感104的第一端,该电感的第二端连接第一耦合电容110的第一端和一射频功率放大管108的基极,此处的射频功率放大管为一NPN三极管,第一耦合电容110的第二端连接射频输入端RF in;射频功率放大管108的集电极连接第二隔离电感106的第一端和第二耦合电容105的第一端,该耦合电容的第二端连接射频输出端RF out,第二隔离电感106的第二端连接电源Vcc和其中一端接地的第二滤波电容107;射频功率放大管108的发射极接地。
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