[实用新型]一种用于24kV的变压器的卷铁芯结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种变压器，尤其涉及一种用于24kV的变压器的卷铁芯结构。

背景技术

80年代末美国、德国、日本相继开发了卷铁芯变压器，最早是使用在电子变压器上，如复印机、计算机、卡拉OK、游戏机等高档电子产品和医疗产品，而后逐渐移置到电力变压器上。90年代中期我国自行开发了卷铁芯工装设备及制造技术，90年代后期我国一些生产厂家也分别从日本、瑞典等国家引进卷铁芯的工装设备和技术。降低变压器的损耗，提高供配电系统效率，是目前世界各国关注的问题。在整个供电系统中，配电变压器所占比重最大，尤其在农村电网中几乎都是配电变压器，改进其性能，降低损耗指标，对电力系统节能，提高系统可靠性具有重要的意义。由于卷铁芯变压器有其独特的结构优势，它与传统的叠片式铁芯变压器相比，具有重量轻，体积小，空载损耗小，噪音低，机械和电气性能优越等优点，因此，在今后电网建设与改造中，卷铁芯变压器将得到更加广泛的推广和使用。本申请人通过对用于24kV的卷铁芯变压器的长期生产实践和钻研，发现现有的用于24kV的卷铁芯结构，其空载损耗仍有进一步降低的空间。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中的不足，提供了一种用于24kV的变压器的卷铁芯结构，该卷铁芯结构用于变压器后，可进一步降低其空载损耗。

为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决：

一种用于24kV的变压器的卷铁芯结构，包括长条形硅钢带卷绕而成的封闭的导磁体回路，其特征在于，所述导磁体回路的多层硅钢带之间穿插有硅钢片，增加了硅钢片，磁轭放大了，磁轭截面积增大，可使本实用新型的卷铁芯结构磁通密度降低，空载损耗降低。

上述技术方案中，所述导磁体回路由两个独立的小导磁体回路和包围在两个小导磁体回路外的大导磁体回路构成。

上述技术方案中，所述硅钢片穿插于大导磁体回路的多层硅钢带之间。

上述技术方案中，所述小导磁体回路各层硅钢带的厚度从里到外成梯度增加，内圈采用较薄的硅钢带，磁通密度低，降低了空载损耗。

上述技术方案中，所述小导磁体回路各层硅钢带的宽度从里到外成梯度增加，所述大导磁体回路各层硅钢带的宽度从里到外成梯度递减，使得卷铁芯的铁芯柱横截面成类圆形，方便绕组的绕制，防止其绕制时过渡损伤。

上述技术方案中，所述各个导磁体回路的转角处为圆弧过渡，避免硅钢带在卷制时过渡损伤。

有益效果：本实用新型与现有技术相比，具有如下有益效果：

(1)本实用新型在导磁体中增加了钢片，磁轭放大了，磁轭截面积增大，磁通密度降低，空载损耗降低。

(2)本实用新型结构简单，性价比高，容易推广。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为图1所示用于24kV的变压器的卷铁芯结构的A-A向剖视图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：

参见附图1～2，一种用于24kV的变压器的卷铁芯结构，可以是单相，也可以是三相或多相的，可以是平面，也可以是立体式的，只要是由长条形硅钢带多层同心卷绕成封闭的导磁体回路即可，本实施例中以平面式三相三柱卷铁芯为例说明。

采用长条形硅钢带绕制出两个长方形的小导磁体回路11，将两个小导磁体回路11拼合在一起，并在其外部绕制大导磁体回路12，大导磁体回路12将两个小导磁体回路11包围在内，每个导磁体回路均多层同心绕制。

优选地，所述导磁体回路1的转角处为圆弧过渡，避免硅钢带在卷制时过渡损伤。

小导磁体回路11的各层硅钢带的厚度从里到外成梯度增加，导磁体回路内圈的空载损耗所占比例较多，采用较薄的硅钢带，使其磁通密度较低，有效降低内圈的空载损耗。

小导磁体回路11各层硅钢带的宽度从里到外成梯度增加，所述大导磁体回路12各层硅钢带的宽度从里到外成梯度递减，使得卷铁芯的铁芯柱10的横截面成类圆形，方便后续绕组的绕制，防止绕组在绕制过程中过渡损伤。

作为本实用新型的改进点，导磁体回路1的多层硅钢带之间穿插有钢片2。

增加硅钢片2，磁轭放大了，磁轭截面积增大，磁通密度降低，由于空载损耗与磁通密度成正比，在其他条件不变的条件下，本实用新型可使空载损耗进一步降低。

作为优选，所述硅钢片2穿插于大导磁体回路12的上下两端，穿插在上下两端对变压器的其他材料增加最少。