[实用新型]一种用于加工薄型硅单晶片的行星片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体材料加工夹具，特别涉及一种用于加工薄型单晶片的行星片。

背景技术

现今，薄型硅单晶片需求愈来愈旺，薄型硅单晶片市场需求量迅速扩大。对于硅片供应商本身来说，在目前多晶硅价格居高不下的情况下，改生产薄型硅单晶片是一条提高经济效益的重要举措，生产薄型硅单晶片可以使每公斤单晶多产出2 0％硅单晶片，显著降低成本。而IC客户也开始省略减薄工序，即做好IC的硅片不经过减薄直接划成芯片，可提高成品率。因此，在供需双方的共同需求下，薄型硅单晶片逐渐取代传统厚硅单晶片而成为市场的主角，随着电子产品向薄、小、轻方向发展，薄型硅单晶硅片是电子产业发展的必然趋势。研磨工序在硅单晶加工过程中起着决定硅单晶片的最终厚度的作用，研磨过程中行星片材质和开孔设计对硅单晶片厚度控制、TTV以及产品良率起到决定性的作用。

薄型硅片的加工关键在于硅片的双面研磨工序，8英寸以下硅片加工均必须经过研磨工序，以便修正硅片的重要几何参数TTV，一般线切割硅片的TTV在15微米左右，内圆切片的TTV在10微米以下，而经过研磨后的硅片TTV均能保证在2微米以下；其次是控制研磨硅片的厚度偏差，若能做到同一车加工的硅片厚度偏差小于3微米以内，有利于后道加工工序对厚度的控制。

针对厚硅片(研磨后硅片厚度大于400微米)研磨使用的行星片(以USP-22B机型为例)，一个行星片内设计成双排孔(用于制造6英寸以下硅片，主要用于制造3-5英寸的硅片)，由于厚度大于400微米的行星片的基板材质为经热处理蓝钢，强度大，冲压加工工艺不会导致行星片基板变形，而且研磨过程中在上下磨盘之间的摩擦力也不会造成行星片形变，因而能够避免硅片研磨过程中的碎片和崩边。

然而，当硅片研磨厚度小于400微米时，使用现有技术的双排孔的行星片制造3-5英寸硅片，会导致大量的碎片、崩边和划伤，因为双排孔的行星片厚度过薄，由于开孔面积大造成行星片的强度降低，在研磨加工过程中行星片容易发生形变，产生大量研磨不良片，如碎片、崩边和划伤等。

因此，如何提供一种行星片，既能保证行星片的强度，又能确保行星片在上下磨盘之间的摩擦力足够小，使得研磨加工过程中产生的摩擦力不会使行星片产生形变，增加薄型硅单晶片的良率，已成为本技术领域人员需要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的所要解决的技术方案是提供一种用于加工薄型硅单晶片的行星片，以解决现有技术的不足。

为解决上述技术方案，本实用新型提供一种用于加工薄型硅单晶片的行星片，其厚度小于400μm，包括：自行星片中心向边缘顺次排布的中心通孔、第三通孔组、第二通孔组、及第一通孔组。

较佳的，所述第一通孔组至少包含7个通孔，且所述第一通孔组中所有通孔的中心位于与所述中心通孔具有相同中心的一第一同心圆上。

较佳的，所述第二通孔组至少包含7个通孔，且所述第二通孔组中所有通孔的中心位于与所述中心通孔具有相同中心的一第二同心圆上。

较佳的，所述第三通孔组至少包含4个通孔，且所述第三通孔组中所有通孔的中心位于与所述中心通孔具有相同中心的一第三同心圆上。

较佳的，所述第一通孔组、所述第二通孔组、及所述第三通孔组中所有通孔均为圆孔，所述中心通孔为方孔或圆孔。

较佳的，所述第一通孔组中所有通孔的直径为25～45mm。

较佳的，所述第二通孔组中所有通孔的直径为101～151mm。

较佳的，所述第三通孔组中所有通孔的直径为20～126mm。

较佳的，行星片边缘与上述所有通孔边缘的最小距离范围为5-40mm。

较佳的，所述中心通孔为用于安装厚度石英振荡器检测的石英片的通孔，其尺寸形状与所述石英片配套。

本实用新型的有益效果在于：既能保证行星片的强度，又能确保行星片在上下磨盘之间的摩擦力足够小，使得研磨加工过程中产生的摩擦力不会使行星片产生形变，增加薄型硅单晶片的良率，改善薄型硅单晶研磨片的TTV、Warp、THK等几何参数。。

附图说明

图1为四英寸行星片的结构示意图。

图2为五英寸行星片的结构示意图。

图3为六英寸行星片的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施例。

本实用新型提供一种用于加工薄型硅单晶片的行星片，其厚度小于400μm，包括：第一通孔组、第二通孔组、第三通孔组及中心通孔。