[发明专利]在存储集成电路上进行擦除操作的装置与方法有效
申请号: | 200910265614.1 | 申请日: | 2009-12-28 |
公开(公告)号: | CN102110474A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 张逸凡;易成名;罗思觉;刘建兴;张坤龙;洪俊雄 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 集成电路 进行 擦除 操作 装置 方法 | ||
技术领域
本发明是关于存储集成电路技术领域,特别是关于一种在非易失存储集成电路上进行擦除操作的装置及方法。
背景技术
改善擦除操作中的过度擦除效应已经变成一个十分重要的课题。因为越来越高的存储阵列密度,浮动栅极耦合效应就变得越来越重要了。
然而,目前处理非易失存储单元擦除操作的方案并不够有效。举例而言,在图1到图5中所示的擦除操作会导致存储单元的过度擦除。在另一个范例中,如美国专利申请公开号第20080175069,因为擦除验证的错误发生而在一擦除区段中随意地划分为两个群组,之后再将其进一步划分成更多的群组,如此会导致相对复杂地擦除操作。而在另一个范例中,如美国专利号第7417895,大量地使用假字线及假存储单元会浪费了许多可用的存储单元。
发明内容
本发明的实施例是解决与边缘字线浮动栅极耦合效应相关的过度擦除问题。此处所讨论的方案甚至可以在不需要增加阵列尺寸的情况下使用,改善的存储单元持久性及擦除时间表现可以由解决擦除操作时的过度擦除而产生。
此处所讨论的不同方案包括对一擦除操作时的擦除验证及擦除子操作的擦除群组的边缘字线及中央字线的改良分组。在另一种方案中,改变边缘字线的电压阶级以解决此擦除群组的过度擦除问题,且也可以改善其擦除时间表现。其它的解决方案使用假位线。
本发明的一目的为提供一种装置,包含:一存储集成电路,其包含多个存储单元,多条字线存取该多个存储单元,以及控制电路。
这些字线分割成多个擦除群组,如此响应自该多个擦除群组中选取一擦除群组的一擦除命令,控制电路对该擦除群组的字线所存取的存储单元进行一擦除操作。这些擦除群组通常称为区段或区块。该擦除群组的该些字线包括外侧字线(例如:边缘字线,第一和最后字线),存取该擦除群组的外侧存储单元,以及内侧字线(例如:介于第一和最后字线之间的中央字线),存取该擦除群组的内侧存储单元。该些内侧存储单元由该些外侧存储单元所围住,与该多个擦除群组中的未选取擦除群组的字线所存取的存储单元分开。
该控制电路具有由该控制电路为了响应而选取该擦除群组的该擦除命令进行该擦除操作,该擦除操作包括于该擦除群组的该些外侧字线上执行的一第二擦除验证子操作的前,在该擦除群组的该些内侧字线上执行的一第一擦除验证子操作。
在某些实施例中,该第一擦除验证子操作是以一群组的方式施加于该些内侧字线。
在某些实施例中,该第二擦除验证子操作是以一群组的方式施加于该些外侧字线。
在某些实施例中,该控制电路所执行于该些外侧字线的擦除验证是以多重群组的方式进行,包括一第一外侧群组于该擦除群组的一第一侧,及一第二外侧群组于该擦除群组的一第二侧。
在某些实施例中,该擦除操作包括一擦除子操作。为了响应该控制电路的该第二擦除验证子操作的一失败结果,而进行该擦除子操作于该擦除群组的该些字线,并施加一非擦除调整偏压至该些内侧字线。
在另一实施例中,该控制电路所执行于该些外侧字线的擦除验证是以多重群组的方式进行,包括一第一外侧群组于该擦除群组的一第一侧,及一第二外侧群组于该擦除群组的一第二侧。由该控制电路所执行的该擦除操作包括于执行该些外侧字线的该第二外侧群组的一第三擦除验证子操作的前,执行一第二擦除验证子操作于该些外侧字线的该第一外侧群组。为了响应该控制电路的该第二擦除验证子操作的一失败结果,而于该擦除群组的该些外侧字线的该第二外侧群组进行该擦除子操作,并施加一非擦除调整偏压至该些外侧字线的该第二外侧群组。
而在另一实施例中,该控制电路所执行于该些外侧字线的擦除验证是以多重群组的方式进行,包括一第一外侧群组于该擦除群组的一第一侧,及一第二外侧群组于该擦除群组的一第二侧。由该控制电路所执行的该擦除操作包括于执行该第二外侧群组的该些外侧字线的一第三擦除验证子操作的前,执行一第二擦除验证子操作于该些外侧字线的该第一外侧群组。为了响应该控制电路的该第二擦除验证子操作的一失败结果,而于该擦除群组的该些外侧字线的该第二外侧群组进行该擦除子操作,并施加一非擦除调整偏压至该些外侧字线的该第二外侧群组及该些内侧字线。
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