[发明专利]一种适用于90炉的大投料的热场系统

说明书

技术领域

本发明涉及单晶硅制造领域，特别涉及一种适用于90炉的大投料的热场系统。

背景技术

硅(Si)是一种半导体元素，太阳能硅电池片利用硅的特性，在硅表面形成光伏特效应，产生电能。为制备太阳能电池片，需要将单晶硅原料重熔后定向凝固，然后切片做成电池片组件。为实现单晶硅的定向长晶凝固过程，需要一个能稳定长晶的热场系统，该热场系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室，所述上下炉室主要起保温隔热的作用，所述加热器主要是提供热场系统升温所需要的热能。

目前大部分使用的是80和85型号的单晶炉。就80和85型号的单晶炉要是还没有加大投料量，或降低能耗的情况下我想其利润是看的见的，但目前80％的80型号的单晶炉还是18寸的热场投料量也就是在55-60KG之间，85型号的也是20寸热场在70-80KG之间，如果在生产过程中因种种因数发生的生产事故，导致你的有可能整炉料报废。

而专利号为200420079639申请公开了一种硅单晶的热系统装置，其系统装置包括石墨埚，加热器，保温罩，保温盖，保温材料，热系统上部设有导流筒和保温盖，下部设有炉底护盘，炉底护盘的底部和周围设有保温材料，保温罩及保温罩外侧的保温材料支撑在炉底护盘上，保温盖设置在石墨罩上面，导流设置在保温盖的盖口内。

在上述的传统热场系统中，其缺点是所述系统内部的供热效果还不能令人满意，而且热系统装置在加料上也不足，这也导致产量少。

发明内容

本发明的目的是提供一种适用于90炉的大投料的热场系统，可很好的实现供热和保温，增加投料量。

一方面，本发明提供一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统，包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室。

采用本发明所述的一种适用于90炉的大投料的热场系统，所述热场系统的增加投料量，降低制造成本。

本发明的技术方案为一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统，包括单晶炉室，石墨埚，托杆，加热器，三瓣埚，导流筒，保温筒，保温盖，其中单晶炉室内设置有保温筒，保温筒设置保温盖，保温筒内设置导流筒，导流筒与保温盖是连接在一起的，导流筒的上端口与保温盖连接，下端口伸入石墨埚内，加热器位于三瓣埚和保温筒侧壁之间，环绕三瓣埚设置，三瓣埚下端设置有托杆，其中所述导流筒内径范围为到mm，高度范围为330到410mm，所述加热器的内径范围为到mm，所述三瓣埚内径范围为到mm。

所述导流筒分为导流筒内层.导流筒外层，导流筒内层的内径范围为到mm，导流筒外层的内径范围为到mm。

所述保温筒分上保温筒.中保温筒，下保温筒，其中保温筒底部有下保温筒，中部有中保温筒和顶部有上保温筒，上保温桶筒的内径范围为到mm，中保温筒的内径范围为到mm，下保温筒的内径范围为到mm。

所述保温盖分上保温盖和下保温盖，其中上保温筒上设置有下保温盖，导流筒上设置有上保温盖，上保温盖的内径为到mm，下保温盖的内径为到mm。所述托杆的外径为到mm。

本发明的有效效果为：本发明通过调整系统内部的大小和结构，能提高供热效果，而且热系统装置在加料上也充分，产量增大。

附图说明

图1为本发明所述的热场系统的结构图；

其中图形标记为：

1.托杆2.加热器3.三瓣埚4.导流筒内层5.导流筒外层6.上保温桶筒7.中保温筒8.下保温筒9.上保温盖10.下保温盖11.上炉室

具体实施方式

下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。

参见图1，图1显示了一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统，包括单晶炉室，石墨埚，托杆1，加热器2，三瓣埚3，导流筒内层4，导流筒外层5，上保温桶筒6，中保温筒7，下保温筒8，上保温盖9和下保温盖10，其中单晶炉室内设置有上保温桶筒6，中保温筒7和下保温筒8，上保温桶筒6和下保温筒8上分别设置有上保温盖9和下保温盖10，在上保温桶筒6，中保温筒7和下保温筒8内部都设置有导流筒内层4和导流筒外层5，导流筒外层5分别于对应的上保温盖9和下保温盖10连接，导流筒外层5的上端口与上保温盖9和下保温盖10连接，下端口伸入石墨埚内，加热器2位于三瓣埚3和各保温筒侧壁之间，环绕三瓣埚3设置，三瓣埚3下端设置有托杆1。

下面介绍一下使用本发明取得的预期效果(本发明是对热场系统的改进，故通过改进前和改进后的对比进行说明)：

具体实施例1：

在90-22内装不同的石墨热场，其中各个部件的尺寸大小如下：

1.托杆  外径mm

2.加热器：内径mm，总高度655mm，发热区500mm