[发明专利]半导体器件

说明书

本申请是申请号为200410050084.6、申请日为2004年7月2日、发明名称为“图形修正方法、系统和程序、掩模、半导体器件制造方法、设计图形”的申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及图形修正方法、图形修正系统、掩模制造方法、半导体器件制造方法、图形修正程序、以及设计图形。 

背景技术

近年来的半导体制造技术的进步非常引人注目，最小加工尺寸为0.18μm的半导体已批量生产。这样的微细化通过掩模处理技术、光刻处理技术、以及腐蚀处理技术等微细图形形成技术的飞跃性进步而实现。 

在图形尺寸足够大的时代，通过制作与设计者描绘的图形相同形状的掩模图形，将该掩模图形用曝光装置复制在涂敷于晶片上的抗蚀剂上，就可以形成设计那样的图形。 

但是，因图形尺寸的微细化，曝光光的衍射对晶片上的图形尺寸产生的影响增大，用于高精度地形成微细图形的掩模和晶片的加工技术变得困难，从而即使使用与设计图形相同的掩模，也难以在晶片上形成设计那样的图形。 

为了提高设计图形的忠实性，使用制作用于在晶片上形成相同于设计图形的图形的掩模图形的被称为光邻近效应修正(Optical ProximityCorrection：OPC)、处理邻近效应修正(Process Proximity Correction：PPC)的技术。 

在OPC、PPC技术(以下，包括OPC用PPC表示)中，大致有两种方法。第一种方法，根据图形的宽度、或图形之间的最邻近图形间距离等，将构成设计图形的边缘移动量作为规则来规定，根据该规则，使边缘移动。第二种方法，使用可高精度地预测曝光光的衍射光强度分布的光刻模拟装置，最合适地逼近边缘移动量，以使在晶片上能够形成与设计图形相同的图形。进而，还提出了通过组合这两种方法，实现精度更高的修正的修正方法。 

而且，近年来，不仅提出用于修正掩模图形的方法，而且提出对设计者描绘的设计图形也根据某一规则进行修正的技术(以下，成为靶MDP处理)。其目的是，预测在晶片上难以形成特定的图形种时，通过修正该图形种，使其容易形成在晶片上。 

在该方法中，由于设计图形自身与设计者描绘的原来的图形不同，需要预先与设计者商议图形的变形方法以后进行。可是，由于近年来特别难以确保光刻处理中的处理裕度(容限)，所以需要更复杂地使设计图形变形的技术。 

再有，在专利文献1公开的掩模图形修正方法中，在设计规则上是可制造的，但对于在曝光工序中的曝光量、焦距变动产生的图形尺寸的变动量大的图形，需要进行处理。 

专利文献1 

特开2002-131882号公报 

图14是表示以往例的靶MDP处理的图。在现有的靶MDP处理的修正规则中，首先如图14所示，根据图形间的间隔宽度来规定修正值。这里，将相邻的图形间的距离S分类为S1、S2、S3，并设S1＜S2＜S3。这种情况下，设距离S为S1＜S≤S2时的靶MDP处理中的修正值为a，距离S为S2＜S＜S3时的靶MDP处理中的修正值为b，则a、b一般满足a＜b的关系。即，越是至相邻的图形的间隔宽的孤立的图形，越可以通过加宽图形容易地形成在晶片上。 

因此，对于孤立图形102(1)的边缘1’(粗线表示)，附加比在其附近存在的密集图形101大的修正值(边缘移动量)，使图形变粗。然后，为了能够在晶片上形成与该设计图形相同的图形形状，再通过PPC来对掩模图形进行修正，形成晶片上的完成图形，此外，对于密集图形101，由于通常对这种密集图形进行析像的处理条件已被确定，所以不需要靶MDP处理。 

此时，圆标记p包围的部分成为密集图形101和孤立图形102之间的中间图形。因此，由于该部分的相邻部分存在密集图形101，所以被看作是密集的图形，不附加修正值。此外，如果将这种中间的图形看作是孤立的图形，则由于进行与其附近的边缘1’相同的修正，所以会附加非常大的修正值，与相邻的图形2之间的距离变得非常短。 

其结果，在现有的靶MDP处理中，难以在这样的密集图形和孤立图形之间的中间部位确保充分的光刻裕度，成为在晶片上引起断路/短路的原因。 

发明内容

本发明的目的在于，提供在密集图形和孤立图形之间的中间部位进行合适的修正的图形修正方法、图形修正系统、及图形修正程序。 

此外，本发明的目的在于，提供使用在密集图形和孤立图形之间的中间部位进行了合适的修正的设计图形的掩模制造方法及半导体器件制造方法。