[发明专利]一种分离检测阿特拉津和百草枯的方法无效

专利信息
申请号: 200910247579.0 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN101788463A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 黄杉生;岳增连;赵国庆;应淑华;丁娜 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: G01N21/33 分类号: G01N21/33;B01D71/02;B01D69/10;C23C18/42
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 吴瑾瑜
地址: 200234 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 分离 检测 阿特拉津 百草 方法
【权利要求书】:

1.一种分离检测阿特拉津的方法,其特征在于,将烷基硫醇修饰的 金纳米通道膜置于U形池的进样池和渗透池之间;

将含有待测样品的0.01~0.1M强电解质溶液置于进样池中,渗 透池中加入等量纯水;12~36小时后紫外检测渗透池中阿特拉津的浓 度;

所述烷基硫醇修饰的金纳米通道膜制备方法包括如下步骤:

(a)以多孔聚碳酸酯膜为基膜,采用化学沉积法在孔径为80nm~ 150nm的多孔聚碳酸酯膜上沉积金:将多孔聚碳酸酯膜洗涤后在0.01 M~0.05M SnCl2溶液浸泡30~120min,使Sn2+均匀地吸附在基膜及 膜孔表面;

取出清洗后在N2气保护下将膜在0.01M~0.04M Ag(NH3)2+溶液中浸没5~30min,洗涤后浸入pH=9.5~10.5的6×10-3M~9 ×10-3M亚硫酸金钠沉积溶液中,在0~10℃下化学镀金4~10h;洗 涤并用HNO3除去未反应的Ag,即得到金纳米通道阵列膜;

(b)烷基硫醇的修饰:将所制得的金纳米通道阵列膜活化清洗 后在含0.1%~1%烷基硫醇的一元醇溶液中浸泡10~16h,通过金- 硫键使烷基硫醇自组装在金纳米通道阵列膜上,得到烷基硫醇修饰的 金纳米通道膜;所述的烷基硫醇为C12~C18烷基硫醇。

2.权利要求1所述一种分离检测阿特拉津的方法,其特征在于,所 述的强电解质为钠盐或钾盐。

3.权利要求1所述一种分离检测阿特拉津的方法,其特征在于,步 骤(a)所得到的金纳米通道阵列膜孔径为40~60nm。

4.权利要求1所述一种分离检测阿特拉津的方法,其特征在于,步 骤(b)中,利用体积浓度为60%~80%的硫酸双氧水混合液浸泡2~ 20min对金纳米通道阵列膜进行活化清洗。

5.权利要求1所述一种分离检测阿特拉津的方法,其特征在于,所 述的一元醇为C1~C4的一元醇。

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