[发明专利]一种非对称带隙基准电路无效
申请号: | 200910228086.2 | 申请日: | 2009-11-09 |
公开(公告)号: | CN101763136A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 张小兴;戴宇杰;吕英杰;林鹏程 | 申请(专利权)人: | 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 |
主分类号: | G05F3/30 | 分类号: | G05F3/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300457 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 对称 基准 电路 | ||
1.一种非对称带隙基准电路,包括电源电压端子VDD,其特征在于它包括正温度系数电流生成单元、负温度系数电流生成单元、零温度系数基准电压VREF生成单元、开关管控制单元以及启动电路Start up;其中,所说的正温度系数电流生成单元的输入端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的负温度系数电流生成单元的输入端端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的零温度系数基准电压VREF生成单元的输入端连接端连接开关管控制单元的输出端,其输出端接地;所说的开关管控制单元的输入端连接电源电压端子VDD,其输出端连接在启动电路Start up两端,且零温度系数输出基准电压VREF。
2.根据权利要求1中所述一种非对称带隙基准电路,其特征在于所说的正温度系数电流生成单元是由晶体管Q1、晶体管Q2和电阻R1组成,其中晶体管Q1的基极与晶体管Q2的基极连接,并同时接地,其发射极接地,集电极则与开关控制单元的输出端连接;所说的晶体管Q2的发射极接地,集电极则经电阻R1与开关控制单元的输出端连接;且由电阻R1得到正温度系数电流I1。
3.根据权利要求1中所述一种非对称带隙基准电路,其特征在于的负温度系数电流生成单元由电阻R2构成,且电阻R2并联在电阻R1和晶体管Q2的发射极之间,生成负温度系数电流I2。
4.根据权利要求1中所述一种非对称带隙基准电路,其特征在于的零温度系数基准电压生成单元是由电阻R3组成,其一端连接开关管控制单元的输出端,另一端接地。
5.根据权利要求1中所述一种非对称带隙基准电路,其特征在于所说的开关管控制单元是由放大器AMP、开关管M1、开关管M2、开关管M3组成;其中,放大器AMP的负向输入端VN与开关管M1的漏极以及晶体管Q1的集电极连接,其正向输入端VP与电阻R1远离晶体管Q2的一端、电阻R2的非接地端以及开关管M2的漏极连接,其输出端与开关管M1的栅极、开关管M2的栅极和开关管M3的栅极连接;所说的开关管M1的漏极与晶体管Q1的集电极连接,源极与开关管M2的源极、开关管M3的源极连接,并共同连接电源电压端子VDD,其栅极则与开关管M2的栅极、开关管M3的栅极连接,并共同连接放大器AMP的输出端;所说的开关管M2的漏极连接放大器AMP的正向输入端、电阻R1远离晶体管Q2的一端和电阻R2的非接地端;开关管M3的漏极连接电阻R3的非接地端,且由电阻R3得到零温度系数基准电压VREF。
6.根据权利要求1中所述一种非对称带隙基准电路,其特征在于所说的启动电路Start up输入端连接基准电压输出VREF,输出端连接放大器AMP的输出端。
7.根据权利要求1中所述一种非对称带隙基准电路,其特征在于所说的VP、VN两点电压相同。
8.根据权利要求1中所述一种非对称带隙基准电路,其特征在于所说的正温度系数电流I1和负温度系数电流I2相等。
9.根据权利要求1中所述一种非对称带隙基准电路,其特征在于它可以作为基准电压生成电路应用在需要取得基准电压的系统中。
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