[发明专利]执行三维集成电路设计的RLC建模和提取的方法和设备

权利要求书

1.一种用于执行三维集成电路3D-IC管芯的RLC提取的方法， 所述方法包括：

接收3D-IC管芯描述，所述3D-IC管芯描述描述了所述3D-IC 管芯，其中所述3D-IC管芯包括两个或更多个垂直叠置的2D-IC管 芯；

将所述3D-IC管芯描述转换为2D-IC管芯描述集合，其中所述 转换维持所述2D-IC管芯描述集合与所述3D-IC管芯描述之间的等 价性；

对于所述2D-IC管芯描述集合中的每个2D-IC管芯描述，使用 2D-IC提取工具来执行电气特性提取，以获得2D-IC RLC网表文件； 以及

合并用于所述2D-IC管芯描述集合的2D-IC RLC网表文件的集 合，以形成用于所述3D-IC管芯描述的RLC网表文件。

2.如权利要求1的方法，其中所述3D-IC管芯描述包括过硅通道 TSV管芯，其中所述TSV管芯进一步包括：

前侧层叠置体，其包括顶部金属层；

后侧层叠置体，其包括至少一个后侧金属层；

双侧衬底，其布置在所述前侧层叠置体与所述后侧层叠置体之 间；以及

TSV，其穿过所述双侧衬底，并且将所述前侧层叠置体与所述 后侧层叠置体电气地耦合。

3.如权利要求2的方法，其中将所述3D-IC管芯描述转换为 2D-IC管芯描述集合包括：将所述TSV管芯转换为一个或多个2D-IC 管芯描述。

4.如权利要求3的方法，其中将所述TSV管芯转换为一个或多 个2D-IC管芯描述包括：

将所述TSV管芯的所述后侧层叠置体投影到所述前侧层叠置 体之上，以创建虚拟前侧层叠置体，从而移除所述后侧层叠置体， 由此将所述双侧衬底转换为单侧衬底；以及

将所述TSV耦合至所述虚拟前侧层叠置体，同时将所述TSV 从所述单侧衬底去耦合，从而将所述TSV管芯转换为2D-IC管芯描 述。

5.如权利要求3的方法，其中将所述TSV管芯转换为一个或多 个2D-IC管芯描述进一步包括通过以下方式来维持所述TSV管芯与 所述2D-IC管芯描述之间的等价性：创建虚拟衬底屏蔽层，其是布 置在所述虚拟前侧层叠置体与所述前侧层叠置体的所述顶部金属层 之间的导体层，其中所述TSV穿过所述虚拟衬底屏蔽层。

6.如权利要求5的方法，其中所述虚拟衬底屏蔽层对于所述前侧 层叠置体而言是不可见的。

7.如权利要求1的方法，其中所述3D-IC管芯描述包括管芯叠置 体，其中所述管芯叠置体进一步包括：

第一管芯；

与所述第一管芯邻近的第二管芯；

将所述第一管芯和所述第二管芯互连的TSV。

8.如权利要求7的方法，其中将所述3D-IC管芯描述转换为所述 2D-IC管芯描述集合包括：将所述管芯叠置体转换为至少两个独立管 芯。

9.如权利要求8的方法，其中将所述管芯叠置体转换为至少两个 独立的管芯包括：

标识所述第一管芯与所述第二管芯之间的转换边界；

将所述第一管芯与所述第二管芯分离，以分别创建第一转换后 的管芯和第二转换后的管芯，

其中所述第一转换后的管芯包括所述第一管芯以及所述第二 管芯中邻近所述转换边界的至少一个金属层；

其中所述第二转换后的管芯包括所述第二管芯以及所述第一 管芯中邻近所述转换边界的至少一个金属层；

其中包括来自邻近管芯的至少一个金属层有助于维持两个转 换后的管芯与所述管芯叠置体之间的等价性。