[发明专利]整合式光刻机台及光刻工艺无效

专利信息
申请号: 200910205195.2 申请日: 2009-10-16
公开(公告)号: CN102043329A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 林佳芳;罗国龙;方树平 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 整合 光刻 机台 工艺
【权利要求书】:

1.一种整合式光刻机台,包含:

晶片输入/输出区,用来载入或载出至少一晶片;

涂布与显影区,用来对该晶片进行光致抗蚀剂涂布与显影工艺;

曝光区,用来对该晶片进行曝光工艺;以及

设于该涂布与显影区及该曝光区之间的等待与传送区,且该等待与传送区维持传送到该涂布与显影区及该曝光区之间的该晶片于固定温度或使该晶片与其他元件维持热绝缘。

2.如权利要求1所述的整合式光刻机台,其中该等待与传送区另包含使该晶片及其他放热元件之间维持热绝缘的隔离系统。

3.如权利要求2所述的整合式光刻机台,其中该隔离系统包含至少部分遮覆于该晶片与该其他放热元件之间的隔热掩模。

4.如权利要求2所述的整合式光刻机台,其中该隔离系统包含覆盖该晶片的隔热掩模。

5.如权利要求1所述的整合式光刻机台,其中该等待与传送区包含冷却与加热系统以维持该晶片的温度。

6.如权利要求1所述的整合式光刻机台,其中该等待与传送区包含冷却与加热系统以维持其他放热元件的温度。

7.如权利要求1所述的整合式光刻机台,其中该涂布与显影区及该曝光区之间具有距离。

8.如权利要求7所述的整合式光刻机台,另包含至少一承载该晶片的晶片盒,且该晶片盒包含冷却与加热系统。

9.一种光刻工艺,包含:

提供晶片;

在第一工艺区对该晶片进行第一工艺以取得处理过的晶片;以及

将该处理过的晶片由等待与传送区运送至第二工艺区以对该晶片进行第二工艺,其中该晶片在等待及运送过程中维持固定温度或与其他元件形成热隔绝。

10.如权利要求9的光刻工艺,其中该第一工艺为涂布工艺或显影工艺且该第二工艺为曝光工艺。

11.如权利要求9的光刻工艺,其中该第一工艺为曝光工艺且该第二工艺为涂布工艺或显影工艺。

12.如权利要求9的光刻工艺,其中该等待与传送区包含隔离系统使该晶片与其他放热元件维持热绝缘。

13.如权利要求12的光刻工艺,其中该隔离系统包含覆盖该晶片的隔热掩模。

14.如权利要求12的光刻工艺,其中该隔离系统包含至少部分遮覆于该晶片与该其他放热元件之间的隔热掩模。

15.如权利要求9的光刻工艺,其中该等待与传送区包含冷却与加热系统以维持该晶片的温度。

16.如权利要求9的光刻工艺,其中该等待与传送区包含冷却与加热系统以维持其他放热元件的温度。

17.如权利要求9的光刻工艺,其中该第一工艺区及该第二工艺区之间具有距离。

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