[发明专利]粉体表面清洗设备及清洗方法有效

专利信息
申请号: 200910199004.6 申请日: 2009-11-19
公开(公告)号: CN101704005A 公开(公告)日: 2010-05-12
发明(设计)人: 陈乐生;甘可可;祁更新;陈晓 申请(专利权)人: 温州宏丰电工合金有限公司
主分类号: B08B7/00 分类号: B08B7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325603 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 体表 清洗 设备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种材料技术领域的设备及方法,具体地说,涉及的是一种粉体表面清洗设备及清洗方法。

背景技术

随着材料科技的不断发展,亚微米乃至纳米粉体的应用越来越广泛。由于亚微米或纳米粉体具有巨大的比表面积,从而使得表面效应和界面效应表现出许多独特的物理化学特性,可根据使用制成球形、多角形、薄片等多种形貌,这样的粉体材料已经在化学催化、电磁、光学、力学、电子信息、燃料电池及生物医学方面迅速的获得广泛应用。人们已采用不同方法制备各种纳米粉体,但粉体合成反应结束后,溶液中残留多种阴阳离子,若不清洗干净会影响纳米粉体的性能。

经对现有技术进行检索,董强,季兆全在《硅酸盐学报》2002 10(30)增刊上发表的文章——“湿化学法制备纳米陶瓷粉体中膜清洗工艺基础研究”,该文中提出:由于粉体颗粒的粒径小、比表面积大、表面物理化学作用强,存在强烈的团聚趋势,应用以滤布为过滤介质的传统分离手段进行残留离子清洗,例如板框压滤机、离心分离等进行固液分离时会形成堵塞过滤介质的致密滤饼层,杂质离子包裹其中,难以达到清洗效果,同时过滤速率迅速降低,固液分离效率低下,需重复装卸清洗,操作复杂、粉体损失大。

发明内容

本发明针对上述现有技术存在的不足和缺陷,提供一种粉体表面清洗设备及清洗方法,具有清洗效率高,清洗效果好的优点,并且本发明操作方便,设备简单。

为实现上述的目的,本发明采用的技术方案是:本发明采用粉体循环清洗设备,基于离子电迁移技术实现阴阳离子分离,达到粉体表面离子去除的目的。在实现过程中,阴阳离子在电场的作用下离开粉体颗粒表面靠近电极两端,从而实现阴阳离子与粉体分离。本发明适用的粉体粒度在10nm-100μm之间,适用的粉体种类为所有非导电粉体。

本发明提供一种粉体表面清洗设备,包括:循环水进水口,金属套筒,进水阀门,电场正极,滤网,排水阀门,循环水出水口,循环水池,搅拌桨,水泵,循环水出水阀门,取料阀门,取料管道,密封环,电场负极以及循环水进水阀门,电场分离容器;其中:滤网设置在金属套筒内部,循环水进水口一端部分伸入滤网内,密封环位于金属套筒下方,金属套筒放下后,滤网同轴置于金属套筒内,电场正极、电场负极分别位于电场分离容器内壁左右两侧,电场正极、电场负极与金属套筒不接触,金属套筒底部与密封环相接触形成密封;循环水池中设有搅拌桨;待清洗粉体悬浊液由循环水池经水泵、循环水进水阀门、循环水进水口进入滤网内,然后,经循环水出水口、循环水出水阀门返回到循环水池内,超纯水经进水阀门、滤网、排水阀门后排出,待清洗粉体悬浊液达到指标完成后经循环水出水口、取料阀门、取料管道排出收集。

在使用循环清洗设备前,金属套筒升起处于电场之外,将待清洗粉体置于循环水池中,开启循环水进水阀门、循环水出水阀门、循环水池中的搅拌浆和水泵,使待清洗粉体悬浊液流动,同时打开进水阀门和排水阀门,将超纯水引入管型滤网外的容器空间,当该空间中的液位达到一定的高度后关闭进水阀门和排水阀门。然后,启动正负电极产生电场。待清洗粉体悬浊液在电场中循环清洗一段时间后,将金属套筒放下置于滤网与电极之间并与密封环相连接,然后取消电场。将排水阀门打开,排出金属套筒与电极之间的水。打开进水阀门,再将超纯水引入管型滤网外的容器空间,当该空间中的液位达到一定的高度后关闭进水阀门和排水阀门,然后重新升起金属套筒,并附加电场,进行新一轮循环清洗。清洗过程中对金属套筒与电极之间排出的水流进行导电率测试,当导电率合格后清洗工作完成,然后将循环水池中的粉体经取料阀门从取料管道中取出烘干。

本发明基于上述的设备,提供一种粉体表面清洗方法,具体包括以下步骤:

1)首先将待清洗粉体置于循环水池中。

所述粉体为一切非导电粉体,粉体粒度在10nm-100μm之间。

所述滤网目数在50-600目之间。

2)将超纯水放入循环水池中,开启循环水进水阀门、循环水出水阀门和水泵,使待清洗粉体悬浊液流动。

所述超纯水的导电率≤20μs/cm。

3)同时打开进水阀门和排水阀门,将超纯水引入管型滤网外的容器空间,当该空间中的液位达到规定的刻度线后关闭进水阀门和排水阀门。

4)将电场正极、电场负极分别放置于电场分离容器内壁左右两侧,在电场正极、电场负极附加电压,从而在电场正极、电场负极之间形成电场。

所述电压范围在0-400V之间。

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