[发明专利]光盘片、光驱、光驱使用方法及光盘片制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有一光盘片调校区域的光盘片，本发明亦涉及一光驱，该光驱可扫描具有光盘片调校区域的光盘片，本发明又涉及一光驱使用方法，可扫描具有光盘片调校区域的光盘片，本发明还涉及一光盘片制造方法，可制造具有光盘片调校区域的光盘片，本发明同时涉及一计算机程序产品。

背景技术

在可烧录光盘片中，通常包含用来测试烧录的一个第一区域，可决定写入策略参数值，以便利用一光驱在该光盘片上依据一写入策略写入标记，以下将该区域称为一最佳功率调校(Optimum Power Calibration，OPC)区域，该最佳功率调校区域通常位于该光盘片的内圈，其半径值通常小于24.00厘米，而使用者数据区域(User Data Area)即从这里开始。光盘片标准通常已规范该最佳功率调校区域，使得任何符合该光盘片标准的光驱都能轻易的操作该光盘片。

在可烧录光盘片的外圈，通常还包含一第二区域，该第二区域亦被用于测试烧录，且该第二区域通常接在该使用者数据区域尾端之后，位在半径为58.00厘米的地方，该第二区域被称为一光盘片调校区域(disc calibration zone，DCZ)。光驱可以利用该光盘片调校区域进行测试数据的测试烧录，测试数据为多个具有不同长度的标记及空格。该测试烧录的步骤包括：改变写入策略参数值，例如功率等级、写入脉波的时间点等；决定该测试数据的烧录质量，例如，根据一感测信号决定数据相对于频率的抖动(data-to-clock jitter)，而该感测信号是依据一入射光束经由该光盘片上的一序列的标记及空格反射而测得。改变写入策略参数值通常使用多个错误更正码(error-correction-code，ECC)区块来完成，其中每一个错误修正码区块记录写入策略参数值的一组测试值。测试烧录通常以多种光盘片速度进行，以决定在每一种光盘片速度的写入策略参数值，特别是当光驱以一固定角速度(constant-angular-velocity，CAV)模式扫描光盘片时，其中在外部半径(58.00厘米)的线性速度大约为在内部半径(24.00厘米)的线性速度的2.4倍。该光驱可能在内部半径与外部半径上各具有一光盘片调校区域，我们将其分别称为内部光盘片调校区域(inner DCZ area)与外部光盘片调校区域(outer DCZ area)，即使没有内部光盘片调校区域，后者仍被称为外部光盘片调校区域。

特定种类的光盘片标准通常会定义该光盘片调校区域，以蓝光光盘片为例，针对四倍速(4X)的一次烧录光盘片(即BD-R 4X标准)，在该光盘片内圈半径约23.50厘米处定义一最佳功率调校区域，并在该光盘片外圈半径大约为58.00厘米处，即所谓的使用者区域的外围，定义一(外部)光盘片调校区域。该最佳功率调校区域具有2048个错误更正码区块，并使用大约1000个轨道，该外部光盘片调校区域仅具有512个错误更正码区块，使用大约100个轨道，并延伸到半径大约为58.05厘米的地方。

由于光盘片的旋转速度通常被限制在160至200Hz，在内圈半径为24厘米处的最大线性光盘片速度相当于四倍速至六倍速(4X-6X)，在外圈半径为58厘米处的最大线性光盘片速度相当于十二倍速至十五倍速(12X-15X)，其中一倍速(1X)代表着4.92公尺/秒的线性光盘片速度，因此，高速线性光盘片速度的测试烧录只有在光盘片的外圈半径才能达到，即外部光盘片调校区域，而非在内圈半径上的最佳功率调校区域或内部光盘片调校区域(若存在)。

光盘片调校区域应用于最佳功率调校、伺服或自动写入策略的调整方法中，外部光盘片调校区域特别适用于高速光驱的调校。

当光驱以高速光盘片速度在外部光盘片调校区域进行测试烧录时，外部光盘片调校区域可能很快就被测试烧录填满，无法做更多的测试烧录，尽管内部光盘片调校区域或最佳功率调校区域可能尚未完全使用完毕，但该光驱却可能无法在这种高速下使用该内部光盘片调校区域，这正如前面所说明的，该光驱所能提供的角速度范围，仅有外部光盘片调校区域的才能支持如此的高速光盘片速度。实际上，在一可烧录蓝光光盘片上的进行烧录时，可应用至全部光盘片范围的最高速度为四倍速，可涵盖内部光盘片调校区域及外部光盘片调校区域，但是再更高速的烧录，如六倍速、八倍速及更高速度的烧录，则只能在外部光盘片调校区域进行。

由于光盘片调校区域的范围受到限制，该光盘片调校区域甚至可能在使用者数据区域完全用完前就已经使用完毕了，另外，因为光驱通常是针对个别的烧录区段进行测试烧录，所以如果有大量的烧录区段，则光盘片仅是进行部份烧录，光盘片调校区域可能就已使用完毕。