[发明专利]功率放大器、集成电路及通信装置无效
| 申请号： | 200910175019.9 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101764583A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 平田伦岁 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F1/02;H03F3/213 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大器 集成电路 通信 装置 | ||
1.一种功率放大器，具备第1双极晶体管，该第1双极晶体管对从基极输入的信号进行放大并将放大后的信号从集电极输出，该功率放大器的特征在于：
上述第1双极晶体管的发射极与接地之间具有附加电感元件；
上述发射极与接地之间的电感大于在未设置上述附加电感元件时的、上述发射极与接地之间的寄生电感。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于：
上述附加电感元件由金属配线构成。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于：
上述附加电感元件由传输线路构成。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于：
上述附加电感元件由螺旋形线圈构成。
5.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于：
上述附加电感元件由键合用引线构成。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的功率放大器，其特征在于：
上述附加电感元件的电感大于上述寄生电感。
7.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于：
上述附加电感元件的电感大于等于10pH。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的功率放大器，其特征在于：
上述发射极与接地之间进一步具有电容元件；
上述电容元件与上述附加电感元件并联连接；
上述电容元件与上述附加电感元件的共振效果下的、上述发射极与接地之间的电感大于仅通过上述附加电感元件把上述发射极进行接地时的、上述发射极与接地之间的电感。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的功率放大器，其特征在于：
进一步具有对从基极输入的信号进行放大的第2双极晶体管；
上述第2双极晶体管的输出信号被输入至上述第1双极晶体管的基极。
10.一种集成电路，在半导体基板上安装有功率放大器，该功率放大器具备第1双极晶体管，该第1双极晶体管对从基极输入的信号进行放大并将放大后的信号从集电极输出，该集成电路的特征在于：
在上述功率放大器中，上述第1双极晶体管的发射极与接地之间具有附加电感元件；上述发射极与接地之间的电感大于在未设置上述附加电感元件时的、上述发射极与接地之间的寄生电感。
11.一种通信装置，具有作为发送功率放大器的功率放大器，该功率放大器具备第1双极晶体管，该第1双极晶体管对从基极输入的信号进行放大并将放大后的信号从集电极输出，该通信装置的特征在于：
在上述功率放大器中，上述第1双极晶体管的发射极与接地之间具有附加电感元件；上述发射极与接地之间的电感大于在未设置上述附加电感元件时的、上述发射极与接地之间的寄生电感。
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