[发明专利]一种配电保护方法及配电保护装置

说明书

技术领域

本发明涉及配电保护技术领域，具体涉及一种配电保护方法及配电保护装 置。

背景技术

配电保护电路中，经常使用断路器。传统的断路器有热断路器及电磁断路 器。近几年，出现了一种新的断路器，即半导体开关器件(如金属氧化物-半 导体-场效应晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor-Filed-Effect Transistor))。

图1是现有技术中配电保护示意图。如图1所示，主要包括：保险模块 14、电流采样模块15、场效应晶体管MOSFET 16、过流保护模块17、驱动控 制模块18、负载19。其中，MOSFET 16与电流采样模块15及负载19呈串联 关系；过流保护模块17分别与电路采样模块15和驱动控制模块18连接。过 流保护模块17将电路采样模块15采集的采样电流与预设的极限保护值比较， 当采样电流值大于极限保护值时，由驱动控制模块18发出控制信号关断 MOSFET 16，实现过流保护功能。

在对现有技术的研究和实践过程中，本发明的发明人发现：

现有技术中是利用半导体器件的线性工作区特性限流的方式实现过流保 护，受器件制约大，例如半导体器件在线性工作区能承受过电流的时间较短(从 过电流的采样、做出比较判断直到实现关断一般需在百us到ms间完成)，时 间长了则很容易烧毁，因此需要很快确定保护动作以保护电路，这样同时又会 带来误判断风险，即如果过流判断时间越长，半导体器件受到损坏的可能性就 越高，误判断的可能性就越小；反之，如果过流判断时间越短，半导体受到损 坏的可能性就越小，但误判断的可能性就越高，换言之，现有技术方案存在过 流判断的准确性和半导体器件被损坏可能性相互制约的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种配电保护方法及配电保护装置，以提高过流判断的 准确性的同时，减少半导体器件被损坏的可能性。

本发明实施例提供一种配电保护方法，包括：

对被保护电路进行采样，获取采样电流值，其中所述被保护电路包括半导 体开关器件、电感和续流二极管，所述半导体开关器件与所述电感串联，所述 半导体开关器件与所述电感之间共接续流二极管；

将所述采样电流值与极限保护值进行比较，

当所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时，计算 在所述采样电流值大于额定电流值且小于或等于所述极限保护值时间内的所 述采样电流值的累积能量值，若所述累积能量值大于预设能量值，通过驱动信 号关断所述半导体开关器件；

当所述采样电流值大于所述极限保护值时，通过驱动信号关断所述半导体 开关器件。

本发明实施例提供一种配电保护装置，包括：

采样电路模块，用于对被保护电路进行采样得到采样电流值，其中所述被 保护电路包括半导体开关器件、电感和续流二极管，所述半导体开关器件与所 述电感串联，所述半导体开关器件与所述电感之间共接续流二极管；

第二保护模块，用于将所述采样电路模块采样得到的采样电流值与极限保 护值进行比较，在所述采样电流值大于极限保护值时，改变逻辑电平；

第一保护模块，用于在所述采样电流值小于或等于所述极限保护值时，将 所述采样电流值与额定电流值比较，当所述采样电流值大于额定电流值且小于 或等于所述极限保护值时，计算在所述采样电流值大于额定电流值且小于或等 于所述极限保护值时间内的所述采样电流值的累积能量值，并在所述累积能量 值大于预设能量值时，改变逻辑电平；

驱动电路模块，用于根据所述第一保护模块或所述第二保护模块的逻辑电 平的变化，发送驱动信号关断所述半导体开关器件。