[发明专利]超声成像设备

权利要求书

1.一种超声成像设备(100)，其把预定的电压提供到压电换能器(11)以便发射超声波，该设备(100)包括：

脉冲器(33)，包括被耦合到压电换能器(11)的输出线(1)和多个第一推挽电路(41、42)，这些第一推挽电路(41、42)的输出单元被耦合到输出线(1)；以及

电源单元(31)，把多个具有不同电平的电源电压提供到多个第一推挽电路(41、42)，其中

多个第一推挽电路(41、42)中的至少任一个第一推挽电路包括第一整流元件，该第一整流元件阻止反向电流流到配置第一推挽电路(42)的第一互补晶体管(Q3、Q4)中，以及

脉冲器(33)包括第二推挽电路(43)，该第二推挽电路(43)的输出单元被耦合到输出线(1)，将与在具有第一整流元件的第一推挽电路(42)中相同的电源电压施加到第二推挽电路(43)，通过接通配置第二推挽电路(43)的第二互补晶体管(Q7、Q8)，在第二推挽电路(43)中流过与在第一推挽电路(42)中的电流方向相反的电流。

2.根据权利要求1所述的超声成像设备(100)，其中

电源单元(31)把多个电源电压中间的最大驱动电压提供到不带有第一整流元件的第一推挽电路(41)。

3.根据权利要求1或2所述的超声成像设备(100)，其中

第一推挽电路(41、42)包括：相对于输出单元在电源电压的高电压侧处的P沟道第一场效应晶体管(Q1、Q3)；和相对于输出单元在电源电压的低电压侧处的N沟道场效应晶体管(Q2、Q4)，以作为第一互补晶体管。

4.根据权利要求3所述的超声成像设备(100)，其中

第二推挽电路(43)包括：相对于被耦合到输出线(1)的输出单元在高电压侧处的N沟道第二场效应晶体管(Q7)；和相对于输出单元在低电压侧处的P沟道场效应晶体管(Q8)，以作为第二互补晶体管，并且该第二推挽电路(43)包括还包括被串联地耦合到各个第二场效应晶体管(Q7、Q8)的第二整流元件。

5.根据权利要求4所述的超声成像设备(100)，其中

被串联地耦合到各个N沟道第二场效应晶体管(Q7、Q8)的每个第二整流元件是以从输出单元朝向电源单元(31)的正向方向被耦合的二极管，以及被串联地耦合到各个P沟道第二场效应晶体管(Q7)的每个第二整流元件是以从电源单元(31)朝向输出单元的正向方向被耦合的二极管。

6.根据权利要求4或5所述的超声成像设备(100)，包括脉冲器控制单元(32)，该脉冲器控制单元(32)接通或关断第一场效应晶体管(Q1、Q2、Q3、Q4)和第二场效应晶体管(Q7、Q8)。

7.根据权利要求6所述的超声成像设备(100)，其中

脉冲器控制单元(32)包括：接通或关断第一场效应晶体管(Q1、Q2、Q3、Q4)的第一驱动器(34)；以及接通或关断第二场效应晶体管(Q7、Q8)的第二驱动器(35)。

8.根据权利要求6或7所述的超声成像设备(100)，其中

脉冲器控制单元(32)包括伪正弦波生成装置(36)，该伪正弦波生成装置(36)通过以预定的次序接通或关断第一场效应晶体管(Q1、Q2、Q3、Q4)而把多个电源电压以正弦波形状输出到输出线(1)。

9.根据权利要求8所述的超声成像设备(100)，其中

与不带有第一整流元件的第一推挽电路(41)的N沟道或P沟道第一场效应晶体管(Q1、Q2)的关断和带有第一整流元件的第一推挽电路(42)的N沟道或P沟道第一场效应晶体管(Q3、Q4)的接通同步，伪正弦波生成装置(36)接通第二推挽电路(43)的N沟道或P沟道第二场效应晶体管(Q7、Q8)。

10.根据权利要求6所述的超声成像设备(100)，其中

脉冲器控制单元(32)只接通或关断不带有第一整流元件的第一推挽电路(41)的N沟道或P沟道第一场效应晶体管(Q1、Q2)，以便把电源电压以矩形形状输出到输出线(1)，在此情形下，脉冲器控制单元(32)不接通或关断第二推挽电路(43)的N沟道或P沟道第二场效应晶体管(Q7、Q8)。