[发明专利]低噪声放大器有效
申请号: | 200910149518.0 | 申请日: | 2009-06-25 |
公开(公告)号: | CN101931368A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 郭明清;郭建男;高小文 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189;H03F3/193;H03F3/45;H03K19/0175 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;梁挥 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低噪声放大器 | ||
1.一种低噪声放大器,其特征在于,包括:
放大器核心电路,用以接收并处理单一输入信号或一对差分输入信号,从而输出一对差分输出信号;以及
直流偏压单元,耦接该放大器核心电路,且依据其本身的电路组态而对信号源进行处理,从而产生该单一输入信号或该一对差分输入信号。
2.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,该放大器核心电路包括:
输入跨导单元,耦接该直流偏压单元,用以接收并处理该单一输入信号或该一对差分输入信号,从而产生一对差分电流信号;
电流缓冲单元,耦接该输入跨导单元,用以接收并缓冲该一对差分电流信号,从而输出一对缓冲过后的差分电流信号;以及
输出负载单元,耦接该电流缓冲单元,用以接收该一对缓冲过后的差分电流信号,并据以输出该一对差分输出信号。
3.如权利要求2所述的低噪声放大器,其特征在于,该输入跨导单元包括:
第一晶体管,其栅极用以接收第一偏压,其漏极用以输出该一对差分电流信号的第一电流信号,而其源极则用以接收该单一输入信号或该一对差分输入信号的第一输入信号;以及
第二晶体管,其栅极用以接收该第一偏压,其基极耦接该第一晶体管的源极,其漏极用以输出该一对差分电流信号的第二电流信号,而其源极则耦接该第一晶体管的基极并用以接收该一对差分输入信号的第二输入信号或者通过该直流偏压单元而耦接至地。
4.如权利要求3所述的低噪声放大器,其特征在于,该输入跨导单元还包括:
第一电阻,其第一端用以接收该第一偏压,而其第二端则耦接该第一晶体管的栅极;
第一电容,其第一端耦接该第一晶体管的栅极,而其第二端则耦接该第二晶体管的源极;
第二电阻,其第一端用以接收该第一偏压,而其第二端则耦接该第二晶体管的栅极;以及
第二电容,其第一端耦接该第二晶体管的栅极,而其第二端则耦接该第一晶体管的源极。
5.如权利要求4所述的低噪声放大器,其特征在于,该电流缓冲单元包括:
第三晶体管,其栅极用以接收一第二偏压,其源极耦接该第一晶体管的漏极,而其漏极则用以输出该一对缓冲过后的差分电流信号的第一缓冲电流信号;以及
第四晶体管,其栅极用以接收该第二偏压,其源极耦接该第二晶体管的漏极,而其漏极则用以输出该一对缓冲过后的差分电流信号的第二缓冲电流信号。
6.如权利要求5所述的低噪声放大器,其特征在于,该电流缓冲单元还包括:
第三电阻,其第一端用以接收该第二偏压,而其第二端则耦接该第三晶体管的栅极;
第三电容,其第一端耦接该第三晶体管的源极,而其第二端则耦接该第四晶体管的栅极;
第四电阻,其第一端用以接收该第二偏压,而其第二端则耦接该第四晶体管的栅极;以及
第四电容,其第一端耦接该第四晶体管的源极,而其第二端则耦接该第三晶体管的栅极。
7.如权利要求6所述的低噪声放大器,其特征在于,该输出负载单元包括:
第一负载,其第一端耦接至系统电压,而其第二端则耦接该第三晶体管的漏极以输出该一对差分输出信号的第一输出信号;以及
第二负载,其第一端耦接至该系统电压,而其第二端则耦接该第四晶体管的漏极以输出该一对差分输出信号的第二输出信号。
8.如权利要求7所述的低噪声放大器,其特征在于,该直流偏压单元包括:
平衡非平衡转换器,具有初级与次级,该初级的第一端用以接收该信号源,该初级的第二端耦接至地,该次级的第一端耦接该第一晶体管的源极以产生该第一输入信号,该次级的中心抽头端耦接至地,而该次级的第二端耦接该第二晶体管的源极以产生该第二输入信号。
9.如权利要求7所述的低噪声放大器,其特征在于,该直流偏压单元包括:
平衡非平衡转换器,具有初级与次级,该初级的第一端用以接收该信号源,该初级的第二端则耦接至地,该次级的第一端耦接该第一晶体管的源极以产生该第一输入信号,而该次级的第二端则耦接该第二晶体管的源极以产生该第二输入信号。
10.如权利要求9所述的低噪声放大器,其特征在于,该直流偏压单元还包括:
第一电感,其第一端耦接该次级的第一端,而其第二端则耦接至地;以及
第二电感,其第一端耦接该次级的第二端,而其第二端则耦接至地。
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