[发明专利]由差分电路元件阵列构成的可调节的电组件有效

专利信息
申请号: 200910139861.7 申请日: 2009-07-03
公开(公告)号: CN101626222A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: M·穆萨维 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: H03H11/02 分类号: H03H11/02;H03K19/094;H03K19/0185;H01L29/94;H03L7/099;H03L7/08
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电路 元件 阵列 构成 调节 组件
【说明书】:

技术领域

发明涉及可调节的电组件,并且更具体地,涉及由差 分电路元件阵列构成的可调节的电组件。

背景技术

通常期望生产具有可调节的电路组件的集成电路。例如, 可能期望生产数控的可变电容器或数控的电流源。例如这样的组件可 以用于调节复杂的模拟和数字电路的操作。

可调节的电路元件的准确操作对更复杂电路的恰当操作 是必要的。例如,可能关键的是可调节的电容器或电流源关于其控制 输入具有高度线性。不准确的可调节的电路元件可使得嵌入有这些可 调节的电路元件的电路发生故障。

因此,期望能够提供改进的可调节的电路元件。

发明内容

根据本发明,可以提供可调节的电路组件,例如可调节 的电容器和可调节的电流源。可调节的电路组件可以由并联连接的差 分电路元件的阵列构成。差分电路元件可以是例如差分电容器和差分 电流源的电路元件。

每个差分电路元件均可以包括第一和第二器件,例如第 一和第二电容器或第一和第二电流源。第一和第二电容器的电容可以 是不同的并且由第一和第二电流源产生的电流的大小可以是不同的。 在给定的可调节的电路组件内,第一器件可以具有公共值,例如公共 电容或公共电流源强度并且第二器件可以具有公共值,例如公共电容 或公共电流源强度。

在每个差分电路元件中的第一和第二开关可以被用于选 择性地切换所述元件中的第一器件或第二器件进入使用。每个差分电 路元件均可以具有控制输入端,在该控制输入端接收控制信号。每个 差分电路元件中的逆变器可以转换控制信号。控制信号可以控制第一 开关并且转换后的控制信号可以控制第二开关。

每个差分电路元件的阵列中的差分电路元件可以并联连 接在第一端子和第二端子之间。温度计码控制信号可以被提供到控制 输入端以调节电容、电流或与可调节的电路组件关联的其他参数。

可调节的电路元件可以用于调节电路的操作,所述电路 例如为环形振荡器电路和锁相环电路。

本发明进一步的特征、本发明的本质以及各种优点将通 过附图和以下优选实施例的详细说明变得更加清楚。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的基于单端逆变器和数控电 容器的回路的示例性数控振荡器的图示;

图2是根据本发明的实施例的基于差分逆变器和数控电 容器的回路的示例性数控振荡器的图示;

图3是根据本发明的实施例的可以使用数控振荡器和数 控电容器的示例性的数字锁相环的图示;

图4是根据本发明的实施例的n沟道金属氧化物半导体 晶体管的图示;

图5是根据本发明的实施例由n沟道金属氧化物半导体 晶体管构成的电容器的图示;

图6是根据本发明的实施例由p沟道金属氧化物半导体 晶体管构成的电容器的图示;

图7是根据本发明的实施例由n沟道或p沟道金属氧化 物半导体晶体管构成的电容器的图示;

图8是根据本发明的实施例由n沟道金属氧化物半导体 晶体管构成的示例性集成电路电容器的横截面侧视图;

图9是根据本发明的实施例基于增大值的独立可选择的 电容器的阵列的可调节电容器的图示;

图10是根据本发明的实施例的示例性电容器值的表格, 所述电容器值可以用于图9中所示类型的电容器阵列中的电容器;

图11是示出根据本发明实施例的示例性的独热(one-hot) 数字控制字的表格,所述控制字用于控制由图9所示类型的电容器阵 列构成的数字电容器;

图12是示出根据本发明实施例的另一个示例性的独热数 字控制字的表格,所述控制字用于控制由图9所示类型的电容器阵列 构成的数字电容器;

图13是根据本发明的实施例的示例性德耳塔(delta,Δ) 电容器的图示;

图14是根据本发明实施例的由图13所示类型的德耳塔 电容器阵列构成的示例性可调节的电容器的图示;

图15是根据本发明实施例的示例性的电容器值的表格, 所述电容器值可以用于德耳塔电容器阵列中的电容器;

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