[发明专利]改进的发电机磁通屏蔽设计有效

专利信息
申请号: 200910126784.1 申请日: 2009-01-22
公开(公告)号: CN101499686A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: P·齐;M·J-M·贝莱蒙;J·比亚利克;J·哈尔德曼;L·迪斯特尔-费德森 申请(专利权)人: 阿尔斯通技术有限公司
主分类号: H02K3/42 分类号: H02K3/42;H02K1/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 杨胜军;蔡洪贵
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 改进 发电机 屏蔽 设计
【权利要求书】:

1.用于将发电机定子铁心(10)从定子(8)的端部绕组(23) 所产生的磁场进行屏蔽的磁通屏蔽(1),其中,所述磁通屏蔽包括前 侧(40)和后侧(41),所述前侧至少间接地面对发电机的端部绕组(23), 所述后侧至少间接地面对发电机的定子铁心(10),并且,所述后侧(41) 设有通道和/或凹槽(37)和/或凹陷,

其中,磁通屏蔽(1)基本为环形,具有基本径向的外部(2),具 有与所述外部(2)相邻的径向向内的中间部(3),其中所述中间部(3) 相对外部(2)的平面倾斜并且形成磁通屏蔽(1)的圆锥部。

2.根据权利要求1的磁通屏蔽(1),其中,所述通道和/或凹槽 (37)这样定向,即,冷却介质(42)沿着后侧(41)的规则流动方向 与所述通道和/或凹槽(37)平行,或者封闭所述通道和/或凹槽(37) 低于45°的角度。

3.根据权利要求2的磁通屏蔽(1),其中,冷却介质(42)沿着 后侧(41)的规则流动方向封闭所述通道和/或凹槽(37)低于30°的 角度。

4.根据权利要求3的磁通屏蔽(1),其中,冷却介质(42)沿着 后侧(41)的规则流动方向封闭所述通道和/或凹槽(37)低于15°的 角度。

5.根据权利要求1或2的磁通屏蔽(1),其中,所述凹槽(37) 设置在磁通屏蔽(1)的、基本暴露于定子(8)的端部绕组(23)所 产生的磁场的区域中。

6.根据权利要求1的磁通屏蔽(1),其中,所述磁通屏蔽(1) 具有与所述中间部(3)相邻的径向向内的轴向部(4)。

7.根据权利要求1的磁通屏蔽(1),其中,所述凹槽(37)设置 在磁通屏蔽(1)的径向向内或向外的末端边缘区中,其中,在没有轴 向部(4)的情况下,凹槽(37)设置在中间部(3)中,在存在轴向 部(4)的情况下,凹槽设置在所述轴向部(4)中。

8.根据权利要求7的磁通屏蔽(1),其中,凹槽(37)定向为在 大致轴向方向上绕着圆周每隔0.2-20°设置凹槽(37)。

9.根据权利要求8的磁通屏蔽(1),其中,凹槽(37)定向为在 大致轴向方向上绕着圆周每隔0.2-1.0°设置凹槽(37)。

10.根据权利要求1的磁通屏蔽(1),其中,凹槽(37)在磁通 屏蔽(1)的边缘处开口。

11.根据权利要求1或2的磁通屏蔽,其中凹槽(37)的深度(d) 在磁通屏蔽的厚度(t)的10-50%的范围内,和/或其中凹槽(37)的 宽度(w)在0.5-5倍深度(d)的范围内,和/或其中凹槽(37)的长 度在20-500毫米的范围内。

12.根据权利要求11的磁通屏蔽,其中凹槽(37)的深度(d) 在磁通屏蔽的厚度(t)的20-40%的范围内,和/或其中凹槽(37)的 宽度(w)在1-2倍凹槽(37)深度(d)的范围内,和/或其中凹槽(37) 的长度在40-100毫米的范围内。

13.根据权利要求1或2的磁通屏蔽,其中,其厚度(t)在15 -20毫米的范围内。

14.根据权利要求13的磁通屏蔽,其中,其厚度(t)在16-18 毫米的范围内。

15.根据权利要求1或2的磁通屏蔽,其中,其由高导电材料制 成。

16.根据权利要求15的磁通屏蔽,其中,所述高导电材料是铜。

17.根据权利要求16的磁通屏蔽,其中,所述高导电材料是脱氧 低磷铜。

18.根据权利要求15的磁通屏蔽,其中其由单件制成或由连接和 /或熔合和/或焊接到一起的圆周部(36)和/或环形部制成。

19.根据权利要求1或2的磁通屏蔽,其中,前侧(40)是基本 非结构化的平表面,并且在有几个部分(2-4)的情况下,这些部分(2-4) 之间的过渡(7)至少在前侧(40)是光滑圆角。

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