[发明专利]一种三银低辐射膜玻璃无效
| 申请号: | 200910105851.1 | 申请日: | 2009-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN101497501A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
| 发明(设计)人: | 陈可明;曾小绵;崔平生 | 申请(专利权)人: | 中国南玻集团股份有限公司 |
| 主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 曾旻辉;朱晓江 |
| 地址: | 518047广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 三银低 辐射 玻璃 | ||
【技术领域】
本发明涉及特种玻璃领域,尤其涉及一种三银低辐射膜玻璃。
【背景技术】
三银低辐射膜玻璃(又称triple-silver LOW-E玻璃),是在玻璃表面镀制包括三层银层在内的多层金属或其他化合物组成的膜系产品。由于银层具有低辐射率的特性,低辐射玻璃对可见光有较高的透射率,对红外线有很高的反射率,具有良好的隔热性能。
采用真空磁控溅射法生产普通三银低辐射膜玻璃的膜层结构一般为:玻璃/基层电介质组合层/第一Ag层/第一阻挡层/第一隔层电介质组合层/第二Ag层/第二阻挡层/第二隔层电介质组合层/第三Ag层/第三阻挡层/上层电介质组合层等。
电介质组合层一般为金属或非金属的氧化物或氮化物,如TiO2、ZnSnOx、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5、Si3N4、AZO等;
第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层一般为金属或金属氧化(氮化)物,也可以是合金或合金氧化(氮化)物,如Ti、NiCr或者NiCrOx,NiCrNx。
但是,在传统的低辐射玻璃加工中,为了能实现较好的U值和选择系数Lsg,就必须增加膜层中的银层厚度来降低玻璃膜层的辐射率,以得到理想的选择系数,但是增加银层厚度就意味着可见光透过率降低、外观颜色呈现干扰色、颜色的选择范围受到限制,无法达到理想的综合指标。
【发明内容】
本发明的目的在于,采用独特的膜层配置构造出一种三银低辐射玻璃,可推广应用到汽车玻璃和民用建筑玻璃。
为达到上述发明目的,本发明提出以下的技术方案:
一种三银低辐射膜玻璃,该玻璃的膜层结构为:玻璃/基层电介质组合层/第一Ag层/第一阻挡层/第一隔层电介质组合层/第二Ag层/第二阻挡层/第二隔层电介质组合层/第三Ag层/第三阻挡层/第一上层电介质组合层/第二上层电介质组合层。
根据本发明所提供的三银低辐射膜玻璃,所述基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是由金属或非金属的氧化物或氮化物构成,优选TiO2、ZnSnOx、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5、Si3N4、AZO中的至少一种。
根据本发明所提供的三银低辐射膜玻璃,所述基层电介质组合层厚度为10~30nm。
根据本发明所提供的三银低辐射膜玻璃,所述第一隔层电介质组合层的厚度为38~90nm;第二隔层电介质组合层的厚度为30~110nm。
根据本发明所提供的三银低辐射膜玻璃,所述第一上层电介质组合层的厚度为10~35nm;第二上层电介质组合层的厚度为10~30nm。
根据本发明所提供的三银低辐射膜玻璃,所述第一Ag层、第二Ag层、第三Ag层的厚度为8~35nm。
根据本发明所提供的三银低辐射膜玻璃,所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层的材料是氧化镍铬或氮化镍铬,层厚1~10nm。
本发明还提供了一种上述三银低辐射膜玻璃的生产工艺,包括以下步骤:
(1)基础玻璃清洗干燥,并置于真空溅射区;
(2)双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积基层电介质组合层;
(3)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第一Ag层;
(4)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第一阻挡层;
(5)双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一隔层电介质组合层;
(6)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第二Ag层;
(7)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第二阻挡层;
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