[发明专利]一种吴茱萸组培快繁方法有效

专利信息
申请号: 200910096469.9 申请日: 2009-03-09
公开(公告)号: CN101491216B 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 徐刚;陈剑平;汪一婷;吕永平;牟豪杰 申请(专利权)人: 浙江省农业科学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;A01G31/00
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 陈继亮
地址: 310021 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 吴茱萸 组培快繁 方法
【权利要求书】:

1.一种吴茱萸组培快繁方法,其特征在于:该方法按以下步骤进行:

1)、选种:组培材料应在4~5年生雌性吴茱萸优良品系健壮母株上选取1~2年生的枝 条,作为插穗;

2)、材料培育:将插穗扦插于混合基质中,再放在温室中进行肥水、防病虫害管理,经 1~2个月培育枝条萌发出嫩枝;所述的混合基质由泥炭∶珍珠岩∶蛭石按体积比1∶2∶2配 制而成;

3)、外植体的选取与灭菌:取长5~10cm的新萌发的嫩枝,剪去叶片,切成长1.5cm的 带顶芽的茎段或带腋芽的茎段作为外植体,经灭菌处理后备用;

4)、培养基的配制,包括基本培养基和组培各阶段培养基的各组分与每升所含重量为:

(1)基本培养基:选用WPM培养基或MS培养基,蔗糖或白糖20~30g/L,琼脂7~9g/L, pH5.6~5.8;

(2)诱导培养基:WPM+BA0.5~5.0mg/L+NAA0.05~0.5mg/L+蔗糖或白糖30g/L;或 WPM+BA 0.5~5.0mg/L+IBA 0.05~0.5mg/L+蔗糖或白糖30g/L;或MS+BA 0.5~5.0mg/L+ NAA 0.05~0.5mg/L+蔗糖或白糖30g/L;或MS+BA 0.5~5.0mg/L+IBA 0.05~0.5mg/L+蔗糖或 白糖30g/L;

(3)增殖培养基:WPM+BA0.1~3.0mg/L+NAA0.01~0.5mg/L+蔗糖或白糖30g/L;或 WPM+BA 0.1~3.0mg/L+IBA 0.01~0.5mg/L+蔗糖或白糖30g/L;或MS+BA 0.1~3.0mg/L+NAA 0.01~0.5mg/L+蔗糖或白糖30g/L;或MS+BA0.1~3.0mg/L+IBA0.01~0.5mg/L+蔗糖或白糖 30g/L;

(4)生根培养基:1/2WPM+IBA0.1~1.0mg/L+蔗糖或白糖20g/L;或1/2WPM+NAA0.1~1.0 mg/L+蔗糖或白糖20g/L;或1/2MS+IBA0.1~1.0mg/L+蔗糖或白糖20g/L;或1/2MS+NAA0.1~ 1.0mg/L+蔗糖或白糖20g/L;

5)、诱导培养:在无菌条件下将经表面灭菌后的外植体带顶芽的茎段或带腋芽的茎段, 切除其一端或二端切口变褐处后,顶芽和带腋芽茎段的芽向上接种在诱导培养基中,在培养 条件下培养30~45天后,诱导顶芽和腋芽萌芽,然后分化丛芽;

6)、增殖培养:在无菌条件下将丛芽切成单株接入增殖培养基中进行增殖培养,在培养 条件下培养30~45天增殖出丛生芽;根据对幼苗数量的需求,每隔30~45天按同样方法进 行幼苗再增殖培养;

7)、生根培养:将培养的丛生苗切成单株后,接种在生根培养基中进行生根培养,在培 养条件下培养20~30天后,幼苗长高成5~7cm、苗基部长出3~5根细根;

8)、移栽:将生根组培苗移栽于穴盘内的育苗袋中,培育1~2个月至成苗。

2.根据权利要求1所述的吴茱萸组培快繁方法,其特征在于:所述的插穗长5~10cm, 插穗上端剪成平口,距离叶柄0.3~0.4cm,下端近节处削成马耳形斜面,用500mg/kg IBA溶 液蘸下端切口1~2cm处,1秒~2秒后,取出晾15~30分钟。

3.根据权利要求1所述的吴茱萸组培快繁方法,其特征在于:所述的培养基,包括基本 培养基和组培各阶段培养基的各组分与每升所含重量为:

(1)基本培养基:选用WPM培养基,蔗糖或白糖20~30g/L,琼脂7~9g/L,pH5.6~5.8;

(2)诱导培养基:WPM+BA2.5mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖或白糖30g/L;

(3)生根培养基:1/2WPM+IBA0.5mg/L+蔗糖或白糖20g/L。

4.根据权利要求1所述的吴茱萸组培快繁方法,其特征在于:所述的灭菌处理是整理好 的外植体进行预处理,用加了重量比为1%中性洗洁精的溶液浸泡并振荡10~30分钟,自来 水冲洗30~60分钟;预处理后的外植体用75%酒精表面消毒30~45秒,无菌水冲洗3遍; 然后用0.1%升汞溶液浸泡振荡灭菌10~15分钟,无菌水洗3~5遍。

5.根据权利要求1所述的吴茱萸组培快繁方法,其特征在于,所述的各组培阶段的培养 条件是,培养温度为25~28℃,光照光强为2500~3000Lx,光照时间为12h/d。

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