[发明专利]监测曝光机台焦平面变化的方法

权利要求书

1.一种监测曝光机台焦平面变化的方法，包括设置侧壁角SWA与焦距的对应关系并拟和出所述对应关系曲线，该方法还包括：在曝光机台曝光过程中，监测侧壁角，从所述拟和曲线中确定侧壁角所对应的焦距值，确定焦平面是否发生变化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置侧壁角与焦距的对应关系并拟和出所述对应关系曲线的具体方法为：

选择不同焦距点，获得每个焦距所对应的晶圆光阻膜格栅图案的侧壁角值，得到侧壁角与焦距的对应关系；

根据侧壁角与焦距的对应关系得到所述侧壁角与焦距的拟和曲线。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获得每个焦距所对应的晶圆光阻膜格栅图案的侧壁角值的具体方法为：利用散射仪的光学关键尺寸量测系统，对所述晶圆光阻膜格栅图案进行光学测量，获得所述光阻膜格栅图案的光谱；对所述光谱进行分析，得到侧壁角的值。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述曝光机台焦平面的具体变化为：SWA变化0.5度时，焦距变化20纳米。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获得光谱的时间为2至3分钟。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述散射仪的波长为250纳米至750纳米。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定焦平面是否发生变化的方法为与设定的焦距值作比较，在监测过程中检测到SWA值所对应的焦距值偏离所述设定焦距值时，焦平面发生变化。