[发明专利]一种中红外至远红外光探测器无效
| 申请号： | 200910079512.0 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101493356A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵昆;周娜;刘昊;赵嵩卿 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（北京） |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J1/02;H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄 健 |
| 地址： | 102249*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 红外光 探测器 | ||
1、一种中红外至远红外光探测器，其包括一光传感器，其中，该光传感器中具有一个由掺杂钛酸锶单晶制成的光传感器芯片。
2、如权利要求1所述的中红外至远红外光探测器，其中，所述掺杂钛酸锶的化学组成为Sr1-xAxTiO3或者SrByTi1-yO3，其中A为La、Dy、Sm、Y、Ga、Ba或Gd，x值为0.001-0.5，B为Nb、Sb、Ta、In、Mn、Mg、Fe或W，y值为0.001-0.5。
3、如权利要求1所述的探测器，其中，该探测器包括：
一光传感器，该光传感器进一步包括光传感器芯片、两个电极和两个输出端；所述电极设置在所述光传感器的一个侧面上，分别连接两个输出端。
4、如权利要求3所述的中红外至远红外光探测器，其中，该中红外至远红外光探测器还包括一探测器外壳，该探测器外壳容纳所述光传感器并暴露所述光传感器的两个输出端。
5、如权利要求3所述的中红外至远红外光探测器，其中，所述电极为条形电极或叉指形电极。
6、根据权利要求3所述的中红外至远红外光探测器，其中，所述电极的材料包括银、金、铂、铟、铝和金属性化合物薄膜中的一种。
7、根据权利要求3所述的中红外至远红外光探测器，其中，所述电极通过真空镀膜、磁控溅射或激光沉积方法制成。
8、根据权利要求5所述的中红外至远红外光探测器，其中，所述条形电极或叉指形电极的电极宽度为0.001mm-5mm，电极间距为0.001mm-10mm。
9、根据权利要求6所述的中红外至远红外光探测器，其中，所述金属氧化物薄膜为Y-Ba-Cu-O薄膜或MgB2薄膜。
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