[发明专利]基于SOI材料的复杂NEMS结构的制作方法

权利要求书

1.一种基于SOI材料的NEMS结构的制作方法，包括以下步骤：

1)SOI材料的顶层硅片采用热氧化方法氧化，生成二氧化硅，减薄顶层硅片厚度，

2)利用光刻和湿法腐蚀方法将二氧化硅上焊盘、布线以及电子束对位标记对应区域的二氧化硅腐蚀掉，

3)将步骤2)生成的区域采用磁控溅射方法生成金属层，并剥离出焊盘、布线以及电子束对位标记，

4)采用电子束光刻和湿法腐蚀方法将NEMS结构图形区域的二氧化硅腐蚀掉，使NEMS结构图形转移到顶层硅片上，

5)采用感应耦合等离子刻蚀方法将NEMS结构图形对应区域的顶层硅片刻蚀掉，形成NEMS结构，

6)采用HF腐蚀NEMS结构下SOI材料上的二氧化硅牺牲层，采用二氧化碳超临界萃取方法释放NEMS结构，完成制作。

2.根据权利要求1所述的基于SOI材料的NEMS结构的制作方法，其特征在于所述步骤1)热氧化方法采用的是湿氧，将SOI材料置于1050℃下的湿氧环境中进行双面热氧化。