[发明专利]一种用于刻蚀硅的反应离子刻蚀方法

权利要求书

1.一种用于刻蚀硅的反应离子刻蚀方法，采用的刻蚀气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为含氟元素的气体，所述第二气体为用于与硅反应形成钝化层的气体，其特征在于，刻蚀过程结束时，先停止通入第一气体再停止通入第二气体。

2.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，刻蚀过程开始时，先通入第二气体再通入第一气体。

3.根据权利要求1或2所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体包括SF₆、CF₄、CHF₄、NF₃之一。

4.根据权利要求1或2所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述第二气体为CO₂、CO、O₂、N₂之一或者CO₂、CO、O₂、N₂任意组合的混合气体。

5.根据权利要求4所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述第二气体为CO₂、CO、或者CO₂与CO的混合气体时，所述与硅反应形成的钝化层为硅氧化合物或者碳硅化合物。

6.根据权利要求4所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述第二气体为O₂时，所述与硅反应形成的钝化层为硅氧化合物。

7.根据权利要求4所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述第二气体为N₂时，所述与硅反应形成的钝化层为硅氧化合物。

8.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，在刻蚀过程结束时，在第三时刻停止通入第一气体，在第四时刻停止通入第二气体，第三时刻和第四时刻的时间差大于等于F等离子与第二气体产生的等离子的寿命差。

9.根据权利要求8所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，第三时刻和第四时刻的时间差的范围为2-10秒。

10.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，通过逐渐减少气体流量的方式，停止通入所述第二气体。

11.根据权利要求2所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，刻蚀过程开始时，在第一时刻通入第二气体，在第二时刻通入第一气体，第一时刻和第二时刻的时间差的范围为2-10秒。

12.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体的气体流量参数范围为100sccm-650sccm，所述第二气体的气体流量参数范围为200sccm-750sccm。

13.根据权利要求13所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体和第二气体的流量比为1∶1.2。

14.根据权利要求1或2所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括Ar。

15.根据权利要求1或2所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，反应离子刻蚀过程中，气压范围为350毫托到600毫托，射频功率为1000瓦，射频频率为60兆赫兹。

16.根据权利要求1或2所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，反应离子刻蚀方法用于刻蚀硅形成深硅通孔，所述深硅通孔的刻蚀采用定态深硅刻蚀工艺。

17.根据权利要求1或2所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体和第二气体的流量控制通过大流量控制器实现。

18.根据权利要求1或2所述的反应离子刻蚀方法，其特征在于，该刻蚀方法包括多个刻蚀过程，直到达到刻蚀所需深度。