[发明专利]基于循环冗余校验的可编程器件的数据保护方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种可编程器件的数据保护方法，具体涉及一种基于循环冗余校验的可编程器件的数据保护方法。

背景技术

循环冗余校验(码)(Cyclic Redundancy Check(Code)，简称为CRC)，是一类重要的线性分组码，编码和解码方法简单，检错和纠错能力强，在通信领域广泛地用于实现差错控制。

可编程器件(Programmable Read-Only Memory，简称为PROM)，主流产品是采用双层栅(二层poly)结构，其中有可擦除可编程存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，简称为EPROM)和电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory，简称为EEPROM)等。EEPROM是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，可以在专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在一些电子产品中，用来存放产品的一些重要的信息，和设备的参数；防止在意外情况发生下，如产品掉电等意外发生时，产品的一些重要信息，还有所保存。

EPROM和EEPROM工作原理大体相同，主要结构如图1所示。

浮栅中没有电子注入时，在控制栅加电压时，浮栅中的电子跑到上层，下层出现空穴。由于感应，便会吸引电子，并开启沟道。如果浮栅中有电子的注入时，即加大的管子的阈值电压，沟道处于关闭状态。这样就达成了开关功能。

EEPROM的写入过程，是利用了隧道效应，即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时，电子将呈现波动性，这里就是表明物体要足够的小。就PN结来看，当P和N的杂质浓度达到一定水平时，并且空间电荷极少时，电子就会因隧道效应向导带迁移。电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为“带”，较低的能带称为价带，较高的能带称为导带。电子到达较高的导带时就可以在原子间自由的运动，这种运动就是电流。EEPROM写入过程，如图2所示，根据隧道效应，包围浮栅的SiO₂，必须极薄以降低势垒。源漏极接地，处于导通状态。在控制栅上施加高于阈值电压的高压，以减少电场作用，吸引电子穿越。

要达到消去电子的要求，EEPROM也是通过隧道效应达成的。如图3所示，在漏极加高压，控制栅为0V，翻转拉力方向，将电子从浮栅中拉出。这个动作，如果控制不好，会出现过消去的结果。

由于EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以字节(Byte)为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM擦除器和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压才可以将相应的地址内的内容做出修改。

现在越来越多的电子产品都将EEPROM移植入自己的硬件电路中，来存储一些重要的产品信息，和一些硬件参数。而这些数据一旦出现错误都会对我们的产品有很大的影响，有的时候还会带来很大的隐患。对于汽车产品就更为重要，因此对可编程器件的数据保护需要进一步研究。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基于循环冗余校验的可编程器件的数据保护方法，它可以提高可编程器件的数据准确性。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种基于循环冗余校验的可编程器件的数据保护方法，包括：每次存储可编程器件中的数据时，进行一次循环冗余校验计算，将新的循环冗余校验码存入到可编程器件中，替代原有的循环冗余校验码；每次读取可编程器件中的数据时，也进行一次循环冗余校验计算，将计算出的校验码与先前存入的校验码进行比较，相同则证明数据有效，不同则证明数据无效。

因为本发明用基于循环冗余校验对可编程器件的数据进行验证，可以有效提高可编程器件的数据准确性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是可编程器件采用双层栅(二层Poly)结构示意图；

图2是EEPROM的写入过程；

图3是消去电子的过程；

图4是基于循环冗余校验的可编程器件的数据保护方法的流程图。

具体实施方式