[发明专利]固相反应低温合成六硼化镧纳米粉体的方法无效

专利信息
申请号: 200910014675.0 申请日: 2009-03-09
公开(公告)号: CN101503198A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: 钱逸泰;王连成;马小健;徐立强 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C01B35/04 分类号: C01B35/04
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 代理人: 于冠军
地址: 250100山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 相反 低温 合成 六硼化镧 纳米 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于六硼化镧材料的制备技术领域,尤其涉及利用反应釜中的固相反应在较低温度、较低压力下合成六硼化镧(LaB6)粉体材料的方法。

背景技术

六硼化镧具有Pm3m对称的CsCl结构,其中La原子占据Cs原子的中心位置,La原子被立方对称的八个B6八面体围绕。这种由硼构成的共价键结合导致了六硼化镧的高机械性能,高热稳定性,高的化学稳定性。对于三价的稀土金属La来说,B6网络结构需要两个电子来稳定其结构,因而自身还有一个电子富余,通常条件下是导体。六硼化镧的其它性质如高熔沸点,低逸出功等等也是源于其结构特点。LaB6是很重要的热电子发射材料,已经广泛地应用于各领域。

目前常见的制备六硼化镧方法有:元素直接在1800℃合成(J.R.Rea等人The formation ofcalcium and certain rare-earth hexaboride single crystals.欧洲晶体生长杂志,J.Cryst.Growth 11(1971)110-112),碳热还原氧化稀土(B.Post,等人Borides of rare earth metals.美国化学会志,J.Am.Chem.Soc.78(1956)1800-1802),硼热还原(G.H.Olsen等人,Single-crystal growth ofmixed(La,Eu,Y,Ce,Ba,Cs)hexaborides for thermionic emission.欧洲晶体生长杂志J.CrystalGrowth 44(1978)287-290),但这些方法温度要求较高,一般在1000℃左右(或以上),能耗较高,原料成本也较高。而CVD法通常使用毒性较大的BBr3,BCl3或B2H6气体(H.Zhang,等人Single-Crystalline LaB6 Nanowires.美国化学会志,J.Am.Chem.Soc.2005,127,13120-13121.)。

本申请提出的制备六硼化镧的方法,就目前的文献报道来看,所需温度最低,且原料低廉。具有实现工业化生产的前景。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明提出了一种利用反应釜中的固相反应在相对较低温度、较低压力下制备出LaB6纳米粉体为主的方法。该方法反应温度低,原料低廉。

本发明的技术方案如下:

一种利用固相反应低温制备六硼化镧纳米粉体的方法,其特征在于,原料如下:

镧源La,选自氧化镧、碳酸镧、氢氧化镧、草酸镧、硝酸镧中的一种或两种;

金属还原剂M,选自镁粉、铝粉、锌粉、金属钠、铁粉、金属钙、金属钾中的一种或两种;

卤化剂X,选自四氯化碳、二硫化碳、三溴化硼、五氯化磷、氯化铵、溴化铵、硫、碘、氯化镁、氯化钙中的一种或两种,

硼源B,选自硼粉、三氧化硼、硼砂、硼氢化钠、硼氢化钾、偏硼酸或硼酸中的一种或多种。

将以上反应原料按La∶M(按正二价金属计算)∶X(按负一价计算)∶B的摩尔比为1∶3~12∶1.5~22∶2~12混合,密封在高压釜中,于170℃~500℃反应30分钟到3天;初产物经酸处理除去杂质、经过滤后干燥,即获得纯相六硼化镧粉体。

优选的,反应原料La∶M∶X∶B摩尔比为1∶4~10∶4~20∶3~10。

优选的反应物为:(1)镧源La:氧化镧,碳酸镧,氢氧化镧,草酸镧中的一种或两种;(2)金属还原剂M:镁粉,铝粉,金属钙中的一种或两种,(3)卤化剂X:三溴化硼,五氯化磷,氯化铵,溴化铵,硫,碘中的一种或两种,(4)硼源B:三氧化硼,硼氢化钠,偏硼酸或硼酸中的一种或多种。

优选的酸处理条件:用40~90℃热稀盐酸处理初产物。

与现有硼热,碳热,碳化硼等技术相比,本发明方法反应温度低,过程简单易控,所得产物形貌较好且原料低廉。

本发明方法获得的六硼化镧是纳米粉末颗粒,颗粒为立方块状,大小可调控,颗粒的大小因反应比例,温度,时间的不同而略有变化,其尺寸范围在100nm~1500nm之间。

本发明方法能实现工业化生产。

附图说明

图1是实施例1在分别在170℃,200℃,300℃,400℃各反应半小时制备得到的六硼化镧粉末X光衍射谱(XRD)。

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