[发明专利]减少依赖软衬层的用于垂直记录介质的单极尖写磁头设计

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜磁性写磁头的结构。更具体地，本发明涉及一种用于在具有软衬层(soft under layer)或没有软衬层的介质上进行记录的垂直薄膜写磁头。 

背景技术

目前，具有后部屏蔽(trailing shield)或者卷绕屏蔽(wrap around shield)的单极尖写磁头被用于垂直记录。其上被写入数据的介质(例如，硬盘驱动中的硬盘)包括具有各种层的分层结构。上层包括硬磁性数据层，下面是非磁性层，接着是磁性软衬层。因为关注于未来的介质开发，所以期望去除软衬层。为了开发的兼容性和连续性，也期望新的磁头设计对存在软衬层和不存在软衬层的情况都是可用的。然而，对于具有例如卷绕屏蔽的常规结构的现有技术的写磁头来说，去除软衬层导致在与写磁极邻近的卷绕屏蔽处的大的返回通量。在沿道(down track)方向，这导致在磁极的后缘(trailing edge)处大的负场在最大的正场之后。这样会导致不期望的擦除写入介质的数据。此外，当没有软衬层时，跨道(cross track)场轮廓显示了相邻道的杂散擦除场(stray erasure field)的增加。目前，在没有软衬层的情况下，没有适合于高密度的垂直记录的现有技术设计。 

所需要的是适于在具有软衬层或没有软衬层的介质上进行记录的垂直薄膜磁头设计。 

发明内容

本发明的一个目的是提供一种薄膜垂直磁头，包括：写磁极，其具有上表面和与上表面相对的下表面；非磁性顶间隙，其接触写磁极的上表面；非磁性底间隙，其接触写磁极的下表面，非磁性顶间隙的厚度近似等于非磁性底间隙的厚度；以及，辅助磁极，其具有顶表面，底间隙与辅助磁极的顶表面接触。 

本发明的一个目的是提供一种薄膜垂直磁头，包括：写磁极，其具有上表面和与上表面相对的下表面；非磁性顶间隙，其接触写磁极的上表面；非磁性底间隙，其接触写磁极的下表面，非磁性顶间隙的厚度近似等于非磁性底间隙的厚度；下返回磁极层，其具有磁耦接到下返回磁极层的基座(pedestal)；以及，辅助磁极，其具有顶表面和底表面，底表面接触基座，底间隙接触辅助磁极的顶表面，辅助磁极位于写磁极和基座之间。 

附图说明

通过以下给出的对本发明的详细描述，本发明将被更好的理解。参考附图给出了这些描述，附图中： 

图1(现有技术)是典型的薄膜垂直磁头结构的局部截面图； 

图2是根据本发明的实施例的薄膜垂直磁头的局部截面图； 

图3是根据本发明的实施例的图2的局部截面放大图； 

图4是根据本发明的实施例的图3的实施例的局部放大ABS图； 

图5A-5D是根据本发明的实施例的辅助磁极204的详细的截面图； 

图6A是根据本发明的其它实施例的辅助磁极的局部ABS图； 

图6B是根据本发明的其它实施例的图6A的实施例的局部截面图； 

图6C和6D是根据本发明的其它实施例的辅助磁极的局部ABS图。 

具体实施方式

图1(现有技术)是典型的薄膜垂直磁头100的局部截面图。磁头包括屏蔽层102和104、MR读传感器103、成形层110、线圈结构108a和108b、主写磁极112、下返回磁极层106、卷绕屏蔽114、上返回磁极层116。可选地，结构114也可以是后部屏蔽。如同应用到垂直记录磁头的卷绕屏蔽和后部屏蔽的详细情况可以在例如美国专利申请公开2007/0146930、2007/0115584、2006/0174474、2006/0044682和2007/0137027中找到。