[发明专利]多级单元NAND中的非相等阈值电压范围

说明书

技术领域

本发明通常涉及半导体存储器，且明确地说，本发明涉及利用模拟信号来递送两 个或两个以上信息位的数据值的固态非易失性存储器装置及系统。

背景技术

电子装置通常具有可供其使用的某种类型的大容量存储装置。一种常见实例为硬 磁盘驱动器(HDD)。HDD能够以相对低成本进行大量存储，且当前消费HDD具有 超过一个太字节的容量。

HDD通常将数据存储于旋转磁性媒体或盘片上。数据通常是作为磁通翻转的模 式存储于盘片上。当向典型HDD写入数据时，盘片以高速度旋转，同时浮动于盘片 上方的写入头产生一连串磁性脉冲以对准盘片上的磁性粒子来表示所述数据。当从典 型HDD中读取数据时，当磁阻读取头浮动于高速旋转的盘片上方时，所述磁阻读取 头中会因感应而发生电阻改变。在实践中，所得数据信号为模拟信号，所述信号的波 峰及波谷为所述数据模式的磁通翻转的结果。接着，使用称作部分响应最大似然 (PRML)的数字信号处理技术对所述模拟数据信号进行取样以确定负责产生所述数 据信号的可能数据模式。

HDD因其机械性质而具有某些缺陷。HDD常因冲击、振动或强磁场而易发生损 坏或过度的读取/写入错误。另外，HDD是便携式电子装置中的电力的相对大的用户。

大容量存储装置的另一实例为固态驱动器(SSD)。替代将数据存储于旋转媒体 上，SSD利用半导体存储器装置来存储其数据，但SSD包括使其在其主机系统看来为 典型HDD的接口及形式因子。SSD的存储器装置通常为非易失性快闪存储器装置。

快闪存储器装置已发展成用于各种电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪 存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单 元。所述单元的阈值电压的改变通过电荷存储或陷获层的编程或其它物理现象来确定 每一单元的数据值。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见使用包括：个人计算机、 个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、器具、车 辆、无线装置、移动电话及可拆卸存储器模块，且非易失性存储器的使用正继续扩大。

不同于HDD，SDD因其固态性质而使得其操作一般不易受到振动、冲击或磁场 等因素的影响。类似地，由于不具有移动部件，因此SDD具有比HDD低的功率要求。 然而，与具有相同形式因子的HDD相比，SSD当前具有低许多的存储容量及明显较 高的每位成本。

出于上述原因，且出于所属领域的技术人员在阅读及了解本说明书之后将明了的 其它原因，此项技术中需要替代的大容量存储器选项。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的存储器装置的简化框图；

图2是可在图1的存储器装置中找到的实例性NAND存储器阵列的一部分的示意 图。

图3是根据本发明的实施例的固态大容量存储装置的示意性框图。

图4是波形的描绘，其概念性地显示根据本发明的实施例可通过读取/写入通道从 存储器装置接收的数据信号。

图5是根据本发明的实施例的电子系统的示意性框图。

图6是根据本发明的实施例的多级存储器单元的一组范围的描绘。

图7是根据本发明的实施例的一组范围的描绘。

图8是根据本发明的方法的流程图。

具体实施方式

在以下对本发明实施例的详细描述中，参照形成本发明的一部分且其中以图解说 明方式显示可在其中实践本发明的特定实施例的附图。充分详细地描述此等实施例以 使所属领域的技术人员能够实践本发明，但应了解，还可利用其它实施例，且在不背 离本发明的范围的情况下可做出过程、电或机械改变。因此，不可将以下详细描述视 为限定意义。