[发明专利]反应喷嘴、气相水解处理装置和气相水解处理方法

权利要求书

1.一种反应喷嘴，具有：

喷出液状的第1流体的第1喷嘴；

第2喷嘴，该第2喷嘴以与所述第1喷嘴呈同心圆状的方式配置于所 述第1喷嘴的外侧，并喷出对所述第1流体进行微细化的第1气体；

第3喷嘴，该第3喷嘴在比所述第1喷嘴和所述第2喷嘴靠下游侧、 且在所述第1流体和所述第1气体的流的外侧具有开口部，并喷出与所述 第1流体反应的第2流体，

第4喷嘴，该第4喷嘴以与所述第2喷嘴呈同心圆状的方式配置于所 述第2喷嘴的外侧，并喷出对所述第1流体与所述第2流体反应后的流体 进行覆盖的第2气体。

2.根据权利要求1所述的反应喷嘴，其中，

呈辐射状地具有多个所述第3喷嘴，

从所述第3喷嘴朝向被所述第1气体微细化了的所述第1流体喷出所 述第2流体。

3.根据权利要求1或2所述的反应喷嘴，其中，

所述第1流体含有氯硅烷，

所述第2流体是水蒸汽，

通过所述第1流体与所述第2流体的反应而生成二氧化硅微粒子。

4.一种气相水解处理装置，是处理含有氯硅烷和有机化合物的液体的 气相水解处理装置，具有：

水解炉，该水解炉具有将所述液体作为所述第1流体而喷出的权利要 求3所述的反应喷嘴，并排出所述第1流体与所述第2流体反应后的流体；

燃烧炉，该燃烧炉将从所述水解炉排出的流体燃烧；和

捕集装置，该捕集装置捕集所述二氧化硅微粒子。

5.根据权利要求4所述的气相水解处理装置，其中，

所述水解炉内的温度被控制在200℃～600℃，

所述燃烧炉内的温度被控制在850℃～1100℃。

6.一种气相水解处理方法，是使用权利要求1所述的反应喷嘴处理含 有氯硅烷和有机化合物的液体的气相水解处理方法，具有：

从所述第1喷嘴喷出液体，

通过与从所述第1喷嘴喷出的液体大致平行地向所述喷出的液体的周 围从所述第2喷嘴喷出所述第1气体，将所述液体微细化，

向所述微细化了的液体中混合来自所述第3喷嘴的水蒸汽，在200℃～ 600℃的温度下将所述氯硅烷水解，生成二氧化硅微粒子的工序；

将混合有所述液体和所述水蒸汽的流体即已水解了所述氯硅烷的流 体在850℃～1100℃的温度下燃烧的工序；和

捕集所述二氧化硅微粒子的工序，

所述生成二氧化硅微粒子的工序构成为，从所述第4喷嘴喷出对第1 流体和第2流体反应后的流体进行覆盖的所述第2气体，防止该第1流体 和第2流体反应后的流体进行循环而流动到第1喷嘴和／或第2喷嘴的开口 部近旁，由此防止喷嘴被使用水蒸汽进行氯硅烷的水解时生成的二氧化硅 微粒子闭塞，所述第1流体为从所述第1喷嘴喷出的液体，所述第2流体 为来自所述第3喷嘴的水蒸汽。