[发明专利]一种放大图像平移显示的装置及方法

权利要求书

1.一种在金属表面形成防蚀层的试剂，该试剂通过以下步骤制备：

A)制备至少含以下成分的水溶液：

a)含氧阳离子，选自MnO₃⁺、VO³⁺、VO²⁺、WO₂²⁺、MoO₂²⁺、TiO²⁺、ZrO²⁺或其组合，以及

b)具有结构MX_a^b-的卤素络合物阴离子，其中M选自B、Ti、Zr、Si、Al，X选自F、Cl、Br、I，a是3-6之间的整数，b是1-4之间的整数，

其中所述水溶液中，所述含氧阳离子的浓度在0.1重量％-0.5重量％之间，所述卤素络合物阴离子的浓度在0.1重量％-3.0重量％之间，以及

B)对该溶液进行物理和/或化学处理，在溶液中原位形成平均粒径＜500nm的纳米颗粒，其中物理和/或化学处理选自改变温度、改变离子浓度、改变pH、改变压力、使溶液过饱和、搅拌溶液、加入氧化剂和/或加入还原剂。

2.如权利要求1所述的试剂，其特征在于，还包括步骤C)，向根据步骤B)形成的所述溶液中加入氧化性物质，该氧化性物质选自过氧化氢、有机过氧化物、碱金属过氧化物、过硫酸盐、过硼酸盐、硝酸盐或其混合物。

3.如权利要求2所述的试剂，其特征在于，还包括步骤D)，借助于酸或碱将根据步骤C)形成的所述溶液的pH调节到0.5-5.0之间的范围。

4.如权利要求3所述的试剂，其特征在于，所述溶液的pH为1.0-3.0之间的范围。

5.如权利要求3所述的试剂，其特征在于，所述溶液的pH为1.3-2.0之间的范围。

6.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，步骤B)中纳米颗粒的形成是通过使所述溶液中的卤素络合物阴离子过饱和和/或搅拌所述溶液实现的。

7.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，步骤B)中纳米颗粒的形成是在室温-100℃的温度范围内实现的。

8.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，步骤B)中纳米颗粒的形成是在30℃-80℃的温度范围内实现的。

9.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，步骤B)中纳米颗粒的形成是在35℃-50℃的温度范围内实现的。

10.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，步骤A)中水溶液所含的所述卤素络合物阴离子b)以其金属盐形式加入。

11.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，步骤A)中水溶液所含的所述卤素络合物阴离子b)以其碱金属盐形式加入。

12.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，步骤A)中水溶液所含的所述卤素络合物阴离子b)以其钠盐和钾盐形式加入。

13.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，在步骤A)的所述水溶液中进一步加入金属盐。

14.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，在步骤A)的所述水溶液中进一步加入金属B、Ti、Zr、Si和/或Al的盐。

15.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，在步骤A)的所述水溶液中进一步以金属卤化物、金属硝酸盐和/或金属硫酸盐的形式加入金属盐。

16.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，在步骤A)所制备的所述水溶液中，所述含氧阳离子的浓度在0.1重量％-0.3重量％之间。

17.如权利要求1-3中任一项所述的试剂，其特征在于，在步骤A)所制备的所述水溶液中，所述卤素络合物阴离子的浓度在0.5重量％-2.0重量％之间。

18.如权利要求2中所述的试剂，其特征在于，步骤B)中所得溶液在按步骤C)加入氧化性物质之前，用水以1∶3至1∶5之间的比例稀释。