[发明专利]用于单线多开关收发器的两级冲击保护器无效

专利信息
申请号: 200880010204.6 申请日: 2008-03-26
公开(公告)号: CN101715616A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 修林成;约翰·J·菲茨帕特里克 申请(专利权)人: 汤姆森特许公司
主分类号: H01Q1/50 分类号: H01Q1/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吕晓章
地址: 法国布洛涅*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 用于 单线 开关 收发 两级 冲击 保护
【说明书】:

相关申请

本申请要求于2007年3月26日提交的美国临时申请第60/920,005号的权益,通过引用将其并入于此。

技术领域

发明总地涉及信号通信,并更具体地涉及用于将单线多开关(SWM)收发器和传统的LNB模式集成和保护为同一卫星机顶盒的架构。

背景技术

在卫星广播系统中,一个或多个卫星从一个或多个地基发射器接收包括音频和/或视频信号的信号。卫星经由运行在指定频率并具有规定的带宽的转发器(transponder)将这些信号放大并转播至消费者居所处的信号接收设施。这样的系统包括上行链路发射部分(即地球到卫星)、绕地卫星接收与发射部分、以及下行链路部分(即卫星到地球)。

在从卫星广播系统接收信号的居所中,信号接收设施可以用于将整个卫星广播频谱频移,并将所产生的输出频率堆叠(frequency stack)至单个同轴电缆上。但是,在卫星广播系统内的卫星数目增加时,并且随着高分辨率卫星频道增多,将达到容纳所有卫星所要求的总带宽将超过同轴电缆的传输能力的点。卫星解码器行业变得需要将更多的卫星时隙(satellite slot)实施到他们的分发系统中。为了提供数目增加的卫星时隙传输,要求用于卫星配置选择的更精细的手段。现在用于选择这些多种配置的两种主要的方法是传统的LNB电源方法和新的频率转换模块(SWM)方法。

传统的LNB电源方法通过电压电平和叠加的600mvp-p、22kHz音调(tone)来控制卫星RF音调的开关选择。通过恒定音调或脉冲宽度调制(PWM)音调来实现音调选择。PWM音调的行业标准被称为DiSEqC,并且被在Eutelsat DiSEqC Bus Functional Specification(Eutelsat DiSEqC总线功能规范)中定义。通常使用两级的输出电压(13或18伏)来选择输入卫星信号的极性(polarity),而音调选择空间中的多个卫星时隙。

第二种方法(SWM)是自供电的,因此它不要求LNB电源,而是使用UART控制的2.3MHz频移键控(FSK)调制方案来向卫星配置开关传达选择命令。可以用其他调制方法来取代UART调制方法。SWM开关被设计为从一系列卫星接收器天线选择卫星信号转发器,并且在频率方面将其转换至单个转发器。其后,通过连接的同轴电缆将新的频移后的转发器频带发送至卫星解码器盒。

当今的卫星解码器系统需要具有在这两种通信方法之间切换并在任一种模式中运行而不被另一系统干扰的能力。如果卫星接收器系统能够进行SWM操作,那么传统的LNB电源将被禁用,以使对可用卫星信号的全部控制和选择都利用调制后的2.3MHz SWM通信信道来完成。

但是,在多个电路被耦接至同轴电缆的RF导体时出现问题,其中要求每个电路来执行不同的任务。例如,SWM要求户外单元在同一RF电缆上20V电源与2.3MHz音调共存。20V DC电源的低阻抗可以将2.3MHz音调短接至地,并导致2.3MHz SWM失效。进一步地,一些当前的卫星系统要求为家庭网络用途保留5MHz至30MHz的频带。20伏电源的低阻抗也会将该频带短接至地。

出现额外的考虑,即2.3MHz SWM音调可以导致谐波在共享的RF电缆上出现。这些谐波可以妨碍(interrupt)共享的RF电缆上的其他工作的系统。2.3MHz SWM音调可以高至0.7伏。如果这样的电压被施加在冲击保护二极管或晶体管b-e结上,谐波可以在RF同轴电缆上出现,并且影响相同导体上的其他工作的单元。

另外,必须保护SWM系统的全部电路免受诸如雷电的由环境条件生成的电压和电流冲击。SWM系统必须与冲击保护电路和谐波抵消电路共存。因而,期望有可以承受高冲击并具有对地的低电容,而不干扰RF节目信号、SWM音调或DC电源电压,同时解决上面所陈述的问题的电路。在这里所描述的本发明处理当前存在的这些和/或其他问题。

发明内容

根据本发明的一方面,提供了一种装置。该装置包括:传输线和第一参考电势之间的第一信号通路,其包括高阻抗负冲击通路;以及传输线和第一参考电势之间的第二信号通路,其包括高阻抗正冲击通路、低电感冲击通路和DC阻断电路,其中所述高阻抗正冲击通路被配置为与所述低电感冲击通路和所述DC阻断电路串联,其中所述低电感冲击通路和所述DC阻断电路中的每个被耦接在所述高阻抗正冲击通路和所述参考电势源之间。

附图说明

通过结合附图参考本发明的实施例的下列描述,本发明的上述和其他特征和优点以及获得它们的方式将变得更明显,并且本发明将被更好地理解。

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