[实用新型]栅控整流器

权利要求书

1.一种栅控整流器，其特征在于，包含：

一栅控晶体管具有一栅极、一高压端与一低压端；

一固定电压源，其被参考至该栅控晶体管的该低压端；

一线电压极性检测电路，其包含一限流电阻及一光二极管连接该限流电阻，其中该光二极管检测一线电压的极性；及

一驱动电路，其受控于该光二极管的检测以决定该栅控晶体管的该高压端与该低压端的通道是否形成。

2.根据权利要求1所述的栅控整流器，其特征在于，该驱动电路包含：

一光敏晶体管，具有一第一端与一第二端，该第一端连接该固定电压源并对应该光二极管；及

一第一电阻连接于该光敏晶体管的该第二端与该低压端之间。

3.根据权利要求2所述的栅控整流器，其特征在于，该驱动电路还包含一图腾柱电路，该图腾柱电路包含：

一NPN双极晶体管，具有一基极、一发射极与一集电极；及

一PNP双极晶体管，具有一基极、一发射极与一集电极，其中：

该NPN双极晶体管的该基极与该PNP双极晶体管的该基极相连接并连接至该光敏晶体管的第二端与该第一电阻之间，该两发射极相连接并连接至该栅极，该NPN双极晶体管的该集电极连接至该光敏晶体管的该第一端，该PNP双极晶体管的该集电极连接至该低压端。

4.根据权利要求2所述的栅控整流器，其特征在于，该驱动电路还包含：

一临界开关具有一参考端、一正极与一负极，该参考端连接至该光敏晶体管的该第二端与该第一电阻之间，该正极连接至该栅控晶体管的该低压端；

一PNP双极晶体管具有一基极、一发射极与一集电极，该集电极连接该栅极；

一第二电阻跨接于该PNP双极晶体管的该基极与该临界开关的该负极；

一第三电阻跨接于该PNP双极晶体管的该发射极与该PNP双极晶体管的该基极之间；及

一第四电阻跨接于该栅控晶体管的该栅极与该低压端之间。

5.根据权利要求2所述的栅控整流器，其特征在于，该驱动电路还包含：

一PNP双极晶体管具有一基极、一发射极与一集电极，该集电极连接该栅极；

一NPN双极晶体管具有一基极、一发射极与一集电极，该发射极连接至该低压端；

一第二电阻跨接于该PNP双极晶体管的该基极与该NPN双极晶体管的该集电极之间；

一第三电阻跨接于该PNP双极晶体管的该发射极与该PNP双极晶体管的该基极之间；

一第四电阻跨接于该栅极与该低压端之间；及

一第五电阻跨接于该光敏晶体管的该第二端与该NPN双极晶体管的该基极之间。

6.根据权利要求1所述的栅控整流器，其特征在于，还包含一电阻负载连接至该栅控晶体管，且该栅控晶体管为一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管、P通道金属氧化物半导体场效应晶体管、单向金属氧化物半导体场效应晶体管、双向金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管。

7.根据权利要求1所述的栅控整流器，其特征在于，还包含一电容负载连接至该栅控晶体管且该栅控晶体管为一单向金属氧化物半导体场效应晶体管。

8.根据权利要求1所述的栅控整流器，其特征在于，包含一集成电路。

9.一种栅控整流器，其特征在于，包含：

一栅控晶体管，其包含一栅极、一参考端与一输出端；

一定电压输入，其参考至该参考端；及

一线电压输入，其中该线电压输入的极性控制是否以该定电压输入产生一驱动电流导通该栅控晶体管。

10.根据权利要求9所述的栅控整流器，其特征在于，包含一集成电路。