[实用新型]线切割机用主辊

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及线切割机领域，尤其涉及单晶硅片等晶体线切割机中所采用的主辊结构。

【技术背景】

线切割机已在精密切割领域广泛应用。在两个主辊上设有等距的凹槽，在凹槽内缠绕钢线，工作时通过钢线的行走对晶体、陶瓷等材料进行切割。

在太阳能电池领域大多采用单晶硅片作为主要部件，直接把太阳能转化为光能。目前，在单晶硅片加工行业都是采用线切割机将晶棒切割成厚度基本一致的晶片。现对晶片的厚度要求一般是190±20μm。一定长度的晶棒经切割后所得到的晶片数量就是出片率。

为保证晶片出片后的厚度基本一致，目前线切割机中主辊上凹槽槽距都是相等的，但是申请人经测量后发现晶片的厚度却差异较大，经多次反复研究后发现，钢线在行走切割过程中会不断磨损变细，造成钢线在进线端较粗，而出线短较细，进而导致晶片由进线端向出线端后端不断增加。这种厚度的误差虽然都符合190±20μm的要求，但是，薄的基本在190μm左右，而厚的达到200μm以上，晶片厚度的增加不但在使用中没有益处，而且大大降低了出片率。同时，钢线在凹槽内会有轻微的摆动，造成硅片的厚度不均匀。

【发明内容】

本实用新型的目的就是为了解决现有技术中存在的问题，提出一种线切割机用主辊，能够提高多个硅片的厚度一致性，并提高硅片出片率。

为实现上述目的，本实用新型专利提出了一种线切割机用主辊，包括圆柱形的辊体，所述圆柱形辊体的侧面上从左到右依次开有若干条凹槽，所述若干条凹槽从左到右依次分布在两个或以上的区域内，左侧区域内的凹槽的槽距大于右侧区域内的凹槽的槽距。

作为优选，所述若干条凹槽从左到右依次分布在第一区域、第二区域、第三区域共三个区域内，第一区域内的凹槽的槽距大于第二区域内的凹槽的槽距，第二区域内的凹槽的槽距大于第三区域内的凹槽的槽距。

作为优选，所述第一区域内的凹槽的槽距为0.3040-0.3060mm，第二区域内的凹槽的槽距为0.3000-0.3020mm，第三区域内的凹槽的槽距为0.2960-0.2980mm。

作为优选，所述第一区域内的凹槽的槽距为0.3050mm，第二区域内的凹槽的槽距为0.3010mm，第三区域内的凹槽的槽距为0.2970mm。

作为优选，所述凹槽为三角形凹槽。

作为优选，所述三角形凹槽的槽角度为60-70°。

作为优选，所述三角形凹槽的槽角度为65°。

本实用新型专利的有益效果：本实用新型将主辊侧面的凹槽的槽距由等距改进为不等距，并根据钢线的磨损规律，将凹槽的槽距从左到右依次减小，通过槽距的减小补偿钢线的磨损，从而使钢线切割出的硅片的厚度基本一致，误差小，并且大大提高了硅片的出片率，增加了经济效益。

【附图说明】

图1是本实用新型线切割机用主辊的结构示意图；

图2是本实用新型线切割机用主辊中侧面凹槽的结构示意图。

【具体实施方式】

参阅图1、2，线切割机用主辊，包括圆柱形的辊体1，所述圆柱形辊体1的侧面上从左到右依次开有若干条凹槽2，所述若干条凹槽2从左到右依次分布在两个或以上的区域内，左侧区域内的凹槽2的槽距P大于右侧区域内的凹槽2的槽距P。本实施例中所述若干条凹槽2从左到右依次分布在第一区域W1、第二区域W2、第三区域W3共三个区域内，第一区域W1内的凹槽2的槽距P大于第二区域W2内的凹槽2的槽距P，第二区域W2内的凹槽2的槽距P大于第三区域W3内的凹槽2的槽距P。根据测量和计算，所述第一区域W1内的凹槽2的槽距P为0.3040-0.3060mm，第二区域W2内的凹槽2的槽距P为0.3000-0.3020mm，第三区域W3内的凹槽2的槽距P为0.2960-0.2980mm，这样的槽距P可使硅片厚度保持高度一致，出片率最高。作为最佳的槽距P，所述第一区域W1内的凹槽2的槽距P为0.3050mm，第二区域W2内的凹槽2的槽距P为0.3010mm，第三区域W3内的凹槽2的槽距P为0.2970mm。进线端的槽距P大，出线端的槽距P小，能够通过槽距P的变化补偿钢线的磨损，保持出片厚度的一致性，并提高出片率。

参阅图2，所述凹槽2采用三角形凹槽2，现有技术中三角形凹槽2的槽角度a为85°，凹槽2的倾角小，钢线已摆动，影响硅片的厚度均匀性。本实施例中将三角形凹槽2的槽角度a改进为60-70°，最佳的是65°，能够最好地将钢线限定在凹槽2内，有效解决了钢线摆动问题。

上述实施例是对本实用新型的说明，不是对本实用新型的限定，任何对本实用新型简单变换后的方案均属于本实用新型的保护范围。