[实用新型]场校验装置有效

专利信息
申请号: 200820153380.2 申请日: 2008-09-23
公开(公告)号: CN201269925Y 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 江建华;齐振生 申请(专利权)人: 华东电力试验研究院有限公司
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00;G01R31/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 郑 玮
地址: 200437*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 校验 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及直流输变电设备和线路电磁环境领域,特别涉及一种场校验装置。

背景技术

目前,直流场强仪或离子流密度测量设备在测量的时候,测量环境往往比较复杂,其对周围环境的抗干扰能力还有待校验考证。比如,直流场强仪实际是靠感应电流工作,当其工作(测量)时,周边的离子流同样也能流入场强仪中形成电流。这个电流是否会影响到直流场强仪的输出值。如果这种影响比较大而不能避免,那就要通过某种方法修正直流场强仪的输出值。因此,很有必要借助某种场校验装置开展对被校验仪器(如直流场强仪或离子流密度测量设备)的测量进行校验研究,研究直流静电场或离子流场对被校验仪器的测量是否产生影响以及影响的大小。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种场校验装置,可以通过可控的进入校核电场区的离子和可控的校核电场区的直流静电场来观察离子产生的电场或直流电场对被校验仪器的干扰影响是否存在,并且有助于开展被校验仪器在不同状态下校验结果的比对试验研究。

为解决上述技术问题,本实用新型采用了如下技术方案:

一种场校验装置,包括依次设置的一离子发生单元、一控制电场区和一校核电场区,所述离子发生单元用于产生离子,所述控制电场区用于控制离子电流的大小,所述校验电场区用于产生可调节大小的直流静电场,所述离子产生的电场与所述直流静电场形成合成场强。

所述离子发生单元包括一通第一直流高压电源的平行电晕丝网,平行电晕丝网周围产生离子。

所述第一直流高压电源的输出电压可调节大小。

所述平行电晕丝网上方间隔设置一绝缘或金属盖板。

所述绝缘或金属盖板外侧设有防晕环。

所述控制电场区由间隔平行设置的离子电流控制栅网和上校核极板产生的电场所形成,用以控制经离子电流控制栅网进入控制电场区的所述离子电流的大小。

所述校核电场区由间隔平行设置的上校核极板和下校核极板产生的电场所形成,其与经上校核极板流入校核电场区的所述离子产生的电场形成合成场强。

所述上、下校核极板之间设有均压装置。

所述均压装置包括若干个均压环和若干个均压电阻,所述均压环和均压电阻串联于所述上校核极板与下校核极板之间。

本实用新型的有益效果:可以通过可控的进入校核电场区的离子电流和可控的校核电场区内的直流静电场来观察离子产生的电场或直流静电场对被校验仪器如直流场强仪或离子流密度测量设备的干扰影响是否存在以及影响的大小,并且有助于开展被校验仪器在不同状态下校验结果的比对试验研究。

附图说明

图1是本实用新型的场校验装置的示意图。

图中:1-平行电晕丝网,2-离子电流控制栅网,3-上校核极板,4-下校核极板离子发生单元,10-电晕发生区,20-控制电场区,30-校核电场区,51-均压环,52-均压电阻,6-绝缘支柱,7-金属支架,8-绝缘或金属盖板,9-防晕环,11-直流场强仪或离子流密度测量设备。

具体实施方式

如图1所示,为本实用新型一实施例的场校验装置的示意图。

这种场校验装置,包括依次设置的一离子发生单元、一控制电场区20和一校核电场区30,所述离子发生单元用于产生离子,所述控制电场区20用于控制离子电流的大小,所述校验电场区30用于产生可调节大小的直流静电场,所述离子产生的电场与所述直流静电场形成合成场强。

所述离子发生单元包括一通第一直流高压电源的平行电晕丝网1,平行电晕丝网1周围即电晕发生区10产生离子(图中未示)。所述第一直流高压电源的输出电压可调节大小。

所述平行电晕丝网1上方间隔平行设置一绝缘或金属盖板8,本实施例中为绝缘盖板8,并在绝缘盖板的外侧设有防晕环9,用以对外界电场起屏蔽作用。

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