[实用新型]托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托有效
申请号: | 200820137425.7 | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN201245726Y | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 万跃鹏 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06 |
代理公司: | 江西省专利事务所 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 338000江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 生产 领域 坩埚 下部 防漏 | ||
1、一种托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托,其特征在于:该坩埚托(1)由没有安装缝隙的连为一体的坩埚托侧壁(2)与坩埚托底板(3)组成,坩埚托侧壁(2)围绕的分布在坩埚托底板(3)的四周边缘;坩埚托侧壁(2)与坩埚托底板(3)共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的坩埚(4)的下部的空腔。
2、如权利要求1所述的一种托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托,其特征在于:防漏流的坩埚托由四块矩形的坩埚托侧面板构成的坩埚托侧壁(2)和一块矩形的坩埚托底板(3)组成,四块矩形的坩埚托侧面板构成的坩埚托侧壁(2)和一块矩形的坩埚托底板(3)共同围成一个立体长方的空腔。
3、如权利要求2所述的一种托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托,其特征在于:立体长方的空腔的长:宽:高尺寸为60-210cm:60-210cm:10-210cm。
4、如权利要求1所述的一种托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托,其特征在于:坩埚托侧壁(2)的壁厚为1-50mm;坩埚托底板(3)的壁厚为1-50mm。
5、如权利要求1所述的一种托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托,其特征在于:坩埚托外形是圆筒形。
6、如权利要求1所述的一种托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托,其特征在于:防漏流的坩埚托(1)由碳-碳复合材料制成。
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