[实用新型]宽带高精度的千兆赫横电磁波小室

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种新型的千兆赫横电磁波小室，尤指一种可运用于射频及微波电磁兼容的新型测试设备，供电子器件及设备电磁兼容特性测试使用。

背景技术

由于电子装置处理的速度愈来愈快，其意味内部电路的工作频率愈来愈高，另外通讯系统所使用频段的频率越来越高，频宽越来越广，相对衍生了电磁干扰(EMI)与电磁兼容(EMC)的问题，电子装置不但要考虑本身与其它电子设备的电磁兼容，其内部的电子组件之间更须考虑电磁兼容问题，因而电磁兼容测试成为电子装置上市前必须通过的基本测试项目。

而横电磁波小室(Transverse Electromagnetic Cell，TEM Cell)是一种用来实施前述电磁兼容测试的设备，请参阅图4、5，其揭示一种现有的横电磁波小室，主要由一外导体上壁71、外导体下壁72及两个外导体侧壁73围成一矩形腔室70，该矩形腔室70内部设有一与外导体上壁71及外导体下壁72平行的片状内导体板74，而矩形腔室70与片状内导体板74构成一段均匀矩形同轴线，该矩形同轴线两端分别通过渐变过渡75与输入端及输出端上的50欧姆圆形同轴传输线形成匹配连接，其一端可连接50欧姆的终端电阻(图中未示)以吸收反射，另一端则连接频谱分析仪、射频噪声接收机或微波干扰信源，当将待测设备或组件置入上述横电磁波小室中，可由频谱分析仪或射频噪声接收机测量横电磁波小室接收到的待测物产生的电磁辐射，当使用微波干扰信号产生器向横电磁波小室注入辐射干扰信号时，则可测试待测物的抗干扰性。

上述横电磁波小室的问题在于矩形同轴传输线两端渐变过度75产生的多次覆反射，及两垂直侧壁产生的水平极化场，他们限制了该横电磁波小室工作频段及均匀场空间大小。为扩展横电磁波小室工作频段，出现了如图6所示的千兆赫横电磁波小室80(GTEM Cell)，该千兆赫横电磁波小室80取消了输出端传输线的渐变过度，而由吸波材料81及50欧姆电阻82组成的复合终端取而代之，从而消除了输出终端反射的影响，达到了展宽频段的目的。尽管如此，依然存在片状内导体板83与两侧壁形成水平极化场分量的影响，且均匀场空间大小仍然是一个问题。

发明内容

本实用新型主要目的在于提供一种改良的千兆赫横电磁波小室，其透过特殊的传输线渐变设计，及在传输线侧壁适当安装微波吸波材料，达到改善工作区场分布均匀性、降低高次模影响及扩大工作频段等目的。

为达成前述目的采取的主要技术手段为令改良的千兆赫横电磁波小室包括有：

一外导体，由一三角状的上壁、一与上壁形状匹配的下壁、一矩形状的带状线终端板、一第一侧壁及一第二侧壁组成；该第一、第二侧壁的一端分别与带状线终端板上平行的两侧边衔接，其另端则直接相交形成尖锥端，又前述上壁、下壁分别与第一、第二侧壁及带状线终端板的顶底端衔接，从而在外导体内部形成一腔室；

一同轴输入埠，设于外导体的尖锥端上；

一中心带状线，呈等腰三角形的片状，其设于外导体的腔室内，且其底边互呈直角地连结于外导体的带状线终端板内面上，其二斜边相交的顶点与同轴输入埠连接；

一电阻性阻抗匹配线路，设于中心带状线的底边与带状线终端板内面之间；

微波吸收材料，分别覆设于外导体的上壁内面、下壁内面及带状线终端板内面；

至少一待测物承载台，设于外导体的腔室内，其竖立于外导体的下壁上，并与中心带状线相邻；

前述新型千兆赫横电磁波小室将传统横电磁波小室的圆形同轴线渐变到矩形同轴传输线的设计，改变为由圆形同轴线渐变到以三导体平行带状线(由中心带状线、第一侧壁及第二侧壁组成)为主的传输线结构，并在与中心带状线垂直的外导体上壁与下壁内表面覆设微波吸收材料，以衰减与中心带状线平行的正交极化场分量，从而达到改善工作区场分布均匀性，降低高次模影响，扩大千兆赫横电磁波小室有效工作频段的目的。

附图说明

图1为本实用新型一较佳实施例的立体图。

图2为本实用新型一较佳实施例的俯视方向剖视图。

图3为本实用新型一较佳实施例的侧视方向剖视图。

图4为已知横电磁波小室的平面示意图。

图5为已知横电磁波小室的侧面剖视图。

图6为已知GTEM小室的示意图。

具体实施方式

有关本实用新型的一较佳实施例，首先请参阅图1、2所示，主要在一呈锥状的外导体10内形成一匹配形状的腔室100，又外导体10的尖锥端上设有一同轴线输入埠20，而腔室100内设有一中心带状线30及至少一待测物承载台40；其中：