[实用新型]一种通信设备密集E1接口电磁干扰抑制装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电磁干扰(EMI)抑制技术，具体涉及一种通信设备密集E1接口电磁干扰抑制装置。

背景技术

随着通信系统设备E1(2048kbit/s)接口密集程度提高，以及使用环境越来越复杂，多路信号传输容易带来电磁兼容性问题，特别是传导与辐射骚扰容易超过标准限值要求，给产品的电磁兼容认证带来诸多问题，在没有采用密集E1接口电磁干扰抑制技术的2M端子板上传输多路2M信号时，通过信号线的传导与辐射骚扰通常会超出标准要求。为了抑制设备的传导与辐射骚扰，通过产品测试认证，对通信设备密集E1(2048kbit/s)接口采用一定的电磁干扰(EMI)抑制技术十分必要。

发明内容

为了解决通信设备密集E1(2048kbit/s)接口存在的电磁干扰(EMI)问题，本实用新型提出一种通信设备密集E1接口电磁干扰抑制装置，其包括一个或多个多路2M电磁干扰抑制部件，所述多路2M电磁干扰抑制部件包括信号输入连接单元、信号输出连接单元以及连接在信号输入连接单元和信号输出连接单元之间的EMI滤波电路单元，所述EMI滤波电路单元包括多个并联的T形滤波器电路以及接地端子，所述T形滤波器电路包括依次串联的第一铁氧体磁珠、三端电容和第二铁氧体磁珠，三端电容的接地端与所述EMI滤波电路单元的接地端子连接。

其中，所述装置连接在E1端口与信号变压器之间。

其中，为了与信号变压器对应，每个多路2M电磁干扰抑制部件包括8个T形滤波器电路以及对应的输入输出接口以同时处理4路2M信号。

其中，每个多路2M电磁干扰抑制部件被形成为集成电路形式安装于印制电路板上。

本实用新型在不改变原有端子板PCB结构尺寸大小情况下，采用密集2M端口电磁干扰抑制技术能明显地抑制传导骚扰与辐射骚扰，使设备更好地满足相关电磁兼容标准要求。

附图说明

图1是多路2M电磁干扰抑制部件的硬件原理框图；

图2是多路2M电磁干扰抑制部件的电路原理图；

图3是多路2M电磁干扰抑制部件的信号流程图；

图4是多路2M电磁干扰抑制部件的外观主视图；

图5是多路2M电磁干扰抑制部件的外观左视图；

图6是多路2M电磁干扰抑制部件的外观仰视图。

具体实施方式

以下结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

图1示出了用于组成本实用新型所述密集E1接口EMI抑制装置的模块化的多路2M电磁干扰抑制部件的原理框图，所述多路2M电磁干扰抑制部件包括信号输入连接单元、信号输出连接单元、EMI滤波电路单元。其中，信号输入连接单元提供多路2M信号输入接口，信号输出连接单元提供多路2M信号的输出接口，EMI滤波电路单元包括多个节点端子，所述滤波电路单元用于滤除2M信号中的电磁干扰分量，并将该电磁干扰分量通过接地端子引入地平面。对多个所述的多路2M电磁干扰抑制部件进行并联组合可以组成密集E1接口EMI抑制装置，为密集E1接口提供EMI抑制。

图2示出了所述的多路2M电磁干扰抑制部件的电路原理图：

多路2M电磁干扰抑制组件输入端中，露在外面有I1～In根针，分别连接I1～In路信号，对应焊接在PCB板上，内部与相应的滤波元器件连接；

EMI滤波电路单元采用n个T形滤波器电路并联组成，每个T形滤波器电路对应一个输入针，对共模骚扰信号进行抑制。其中，每个T形滤波器电路包括一个三端电容和两个铁氧体磁珠，所述铁氧体磁珠分别与三端电容的输入端与输出端串联连接，三端电容的接地端连接到EMI滤波电路单元的接地端子G1、G2针，G1和G2针焊接连接到PCB板上的接地平面上。

多路2M电磁干扰抑制组件输出连接有O1～On针，对应于同输入的I1～In针，所述O1～On针与EMI滤波电路单元的输出端连接。

所述密集E1接口EMI抑制装置可以安装在E1接口与信号变压器之间，以提供电磁干扰抑制，具体如图3所示。

由于现有的E1端口常用的信号变压器模块一般可以处理4路2M信号，为与信号变压器模块一一对应，可以取n＝8，即将8根E1(4路2M)信号线的滤波电路器件(三端电容和铁氧体磁珠)以及对应的输入针、输出针封装成集成电路，构成4路2M电磁干扰抑制部件，集成的4路2M电磁干扰抑制部件外观如图4—6所示，由于采用了集成电路的形式，可以将所述4路2M电磁干扰抑制部件形成多种组合，满足通信设备密集E1接口相应路数2M的使用需要。