[实用新型]数码发电机逆变器功率管布置结构无效
申请号: | 200820099330.0 | 申请日: | 2008-07-02 |
公开(公告)号: | CN201215926Y | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 何培祥;杨仕;鲜继凯 | 申请(专利权)人: | 何培祥;杨仕;鲜继凯 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/44;H02M7/48 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李海华 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数码 发电机 逆变器 功率管 布置 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种数码发电机逆变器,具体说来涉及一种数码发电机逆变器功率管新的布置结构。
背景技术
逆变器是数码发电机的核心部件,它的可靠性决定了逆变式内燃发电机机组即数码发电机的性能。逆变器将磁发电机发出的三相交流电先整流为直流电,再逆变为电压稳定的50Hz或60Hz正弦交流电。逆变器的整流、逆变都会有功率损耗,这一电能损耗会转化为热能。逆变器功率越大,发出的热量也越多,这一热量若不能很好的散发出去,则会引起逆变器温度升高,逆变器温度升高到一定限值,则无法继续正常输出。
逆变器工作发出的热量主要是由功率管产生的。逆变器中的功率管主要使用IGBT(Isolated Gate Bipolar Transistor绝缘门极双极型晶体管),4个IGBT单管构成全桥逆变电路。目前,常见的布置方式为4个IGBT并排共同放在逆变器壳体中的一个凹坑内。这样的布置方式对于安装很方便,并且能较好的解决电磁干扰问题,但这种布置方式对逆变器散热是不利的,4个IGBT同时发热而要在一个共同的有限空间内散发出去,这显然于散热不利,特别是用在如3KW以上的较大功率逆变器时,会使逆变器因IGBT部位温升过高而无法正常工作。
实用新型内容
针对现有技术存在的上述不足,本实用新型的目的是提供一种数码发电机逆变器功率管新的布置结构,这种布置结构能够很好地解决逆变器的散热问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的:数码发电机逆变器功率管布置结构,包括壳体和位于壳体内的四只功率管,四只功率管通过导线与逆变主电路连接构成全桥逆变电路,在壳体上设有两到四个分散的凹坑,四只功率管分散设于凹坑内,导线设于凹槽内,凹坑和凹槽由电磁屏蔽板遮盖。
所述凹坑为四个,每个凹坑设置一只功率管;凹坑也可以为两个,每个凹坑设置两只功率管。
本实用新型分散设置两到四个凹坑,四只功率管分散设于凹坑内,使功率管发出的热量均匀分布于整个壳体上,利于整体散热。通过屏蔽板将功率管和导线遮盖后,实现电磁屏蔽。
附图说明
图1-本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
参见图1,从图上可以看出,本实用新型的数码发电机逆变器功率管布置结构,包括壳体1和位于壳体内的四只功率管2,四只功率管2通过导线3与逆变主电路连接构成全桥逆变电路。在壳体1上设有两到四个分散的凹坑4,四只功率管2分散设于凹坑4内。这里的分散是相对于四只功率管集中于一个凹坑设置而言的,即每个凹坑都设置有功率管,凹坑内的功率管数量可以相同,也可以不同。图1为一个具体的实施例,在壳体1的四个角落设有四个分散的凹坑4,四只功率管2分别设于四个凹坑4内。
凹坑也可以为两个,每个凹坑设置两只功率管。当然也可以一个凹坑放置一个功率管,另一个凹坑放置三个功率管。同样,凹坑也可以是三个,其中一个凹坑放置两个功率管,另两个凹坑各放置一个功率管。分散布置功率管可以充分利用整个壳体散热,四个凹坑的散热效果最好。凹坑可以设于壳体角落,也可以不设于壳体角落,只要分散设置即可。
在安置功率管的凹坑与逆变器主电路之间有凹槽5,导线3就放置在凹槽5之中。在安装好功率管,放好导线后,凹坑、凹槽用铝板遮盖,并用螺钉固定,实现电磁屏蔽。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置